[实用新型]一种多晶硅铸锭炉有效

专利信息
申请号: 201520654653.1 申请日: 2015-08-27
公开(公告)号: CN204898122U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 王增林 申请(专利权)人: 宁夏金海金晶光电产业有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 郑自群
地址: 753000 宁夏回族自治*** 国省代码: 宁夏;64
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及多晶硅生产工艺领域,尤其涉及一种多晶硅铸锭炉。

背景技术

目前,多晶硅铸锭炉主要用于以铸锭方式生产硅半导体材料,传统的多晶硅铸锭炉由炉体和炉盖组成,通常炉盖位于炉体上端,加热装置分布在炉膛的坩埚周围,存在温度分布不均,装卸料不方便的问题。

实用新型内容

有鉴于此,本实用新型提出一种多晶硅铸锭炉,该多晶硅铸锭炉解决了炉体内温度分布不均,装卸料不方便的技术问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种多晶硅铸锭炉,包括炉体、坩埚、真空装置、加热装置、支撑板、升降装置;

所述炉体包括上炉体和下炉体;

所述下炉体内设有保温层,所述保温层内设置有所述加热装置;

所述下炉体内还设有2个以上的所述升降装置,所述升降装置上设有所述支撑板,所述支撑板上设有所述坩埚;

所述真空装置设于所述下炉体外,并与所述下炉体通过真空管路连接。

优选地,所述保温层包括第一保温层和第二保温层。

优选地,所述第一保温层为耐火保温纤维层,所述第二保温层为石墨碳砖层。

优选地,所述加热装置为电极,所述电极对称安装在所述第二保温层内。

优选地,所述加热装置为石墨电极。

优选地,所述下炉体内设置有5~50个升降装置。

优选地,所述上炉体上设置有顶盖,所述顶盖上设置有保护气进口。

优选地,所述上炉体和所述下炉体之间连接有密封盖。

优选地,还包括控制机构,所述控制机构与所述密封盖连接。

优选地,还包括冷却装置,所述冷却装置设置于所述上炉体内。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型中升降装置的设置便于坩埚上升、下降,使得在下炉体内完成长晶、退火阶段后,进入上炉体,再进行冷却,从而得到多晶硅铸锭。本实用新型通过在保温层安装电极,使得下炉体内温度均匀,消除了盲区,避免了矿石资源的浪费,同时降低了能耗。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型多晶硅铸锭炉的结构示意图。

图中:

1、上炉体;2、下炉体;3、第一保温层;4、第二保温层;5、升降装置;6、支撑板;7、坩埚;8、加热装置;9、密封盖;10、真空装置;101、真空管路;11、顶盖。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示,本实用新型提供的多晶硅铸锭炉,包括炉体、坩埚7、加热装置8、支撑板6、升降装置5和真空装置10。

所述炉体包括上炉体1和下炉体2,所述上炉体1用于对多晶硅铸锭进行冷却,具体实施时,所述上炉体1内设有冷却装置。

所述下炉体2内设有保温层,所述保温层设置于所述下炉体2内,用于减少下炉体2内热量流失,从而保证多晶硅铸锭炉的保温性能。具体实施时,保温层包括第一保温层3和第二保温层4,第一保温层3为耐火保温纤维层,第二保温层4为石墨碳砖层,通过采用耐火材料层和石墨碳砖层逐层保温,将其热传导逐渐降低,进而保证了多晶硅铸锭炉的保温性能。

所述下炉体2内还设有2个以上升降装置,升降装置5上设有支撑板6,支撑板6上设有坩埚7,所述坩埚7用于盛放金属硅;所述支撑板6用于支撑坩埚7及其金属硅,保证坩埚7的稳定性;所述升降装置5便于坩埚7上升、下降,使得金属硅在下炉体2内完成长晶、退火结算后,进入上炉体1,再进行冷却,从而得到多晶硅铸锭。另外升降装置5的设置方便放入或取出坩埚7,具体实施时,所述下炉体2内设置有5~50个升降装置5。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏金海金晶光电产业有限公司,未经宁夏金海金晶光电产业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520654653.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top