[实用新型]高空穴注入效率的LED外延结构有效
| 申请号： | 201520657363.2 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN204966527U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 郑建钦;田宇;吴真龙;曾颀尧;赖志豪;林政志 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
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| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 注入 效率 led 外延 结构 | ||
1.高空穴注入效率的LED外延结构，从下至上依次包括衬底（1）、GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、多量子阱（5）、电子阻挡层（6）、P型GaN层（7）和P型接触层（8），其中多量子阱（5）由InGaN层（13）和GaN层（12）构成，其特征在于：所述电子阻挡层（6）从下至上依次由p型AlxGa1-xN层（9）、AlN层（10）和p型InyGa1-yN层（11）构成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2，所述电子阻挡层（6）包括8-12个生长周期，生长压力为100-200Torr，在氮气环境中生长。
2.根据权利要求1所述的高空穴注入效率的LED外延结构，其特征在于：所述p型AlxGa1-xN层（9）的厚度为40-60埃，生长温度为900-1100℃。
3.根据权利要求1或2所述的高空穴注入效率的LED外延结构，其特征在于：所述AlN层（10）的厚度为5-15埃，生长温度为900-1100℃。
4.根据权利要求3所述的高空穴注入效率的LED外延结构，其特征在于：所述p型InyGa1-yN层（11）的厚度为20-40埃，生长温度为900-1100℃。
5.根据权利要求4所述的高空穴注入效率的LED外延结构，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石衬底、GaN衬底、Si衬底、SiC衬底或者LAO衬底中的任意一种。
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