[实用新型]晶硅制绒槽有效
申请号: | 201520662516.2 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN205004346U | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 刘尧平;陈伟;杨丽霞;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶硅制绒槽 | ||
1.一种晶硅制绒槽,其特征在于,包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。
2.根据权利要求1所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述金属催化刻蚀槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制绒槽和第一水槽。
3.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述金属催化刻蚀槽还包括:
温控装置,其用于控制所述酸制绒槽中的酸性制绒液的温度恒定;以及
位于所述第一水槽开口上方的第一喷头。
4.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述金属催化刻蚀槽还包括位于所述酸制绒槽中的鼓泡装置。
5.根据权利要求2所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述金属催化刻蚀槽还包括:
铜离子检测装置,所述铜离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中;
氟离子检测装置,所述氟离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中;以及
酸性制绒液输送装置,其用于向所述酸制绒槽中输送酸性制绒液。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述残余金属清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。
7.根据权利要求6所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述残余金属清洗槽还包括位于所述第一酸槽中的超声波清洗装置和位于所述第二水槽开口上方的第二喷头。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、碱槽和第四水槽。
9.根据权利要求8所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述二次清洗槽还包括分别位于所述第三水槽和第四水槽的开口上方的第三喷头和第四喷头。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的晶硅制绒槽,其特征在于,所述干燥预处理槽包括:
沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽;以及
位于所述第五水槽开口上方的第五喷头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的