[实用新型]晶硅制绒槽

说明书

技术领域

本实用新型涉及制绒设备，具体涉及一种制绒槽。

背景技术

在光伏产业中，为了提高硅基太阳能电池的转换效率，需要对硅片进行制绒刻蚀处理，从而获得减反射绒面结构。

基于单晶硅制绒和多晶硅制绒的原理，目前市场上存在两种制绒设备，即槽式制绒设备和链式制绒设备。其中槽式制绒设备用于单晶硅碱制绒，从而得到金字塔状绒面；链式制绒设备用于多晶硅酸制绒，从而得到虫孔状绒面。

但是目前市场上并不存在能分别对多晶硅和单晶硅进行制绒的制绒设备。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能对多晶硅和单晶硅制绒的制绒槽。

本实用新型的一个实施例提供了一种晶硅制绒槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。

优选的，所述金属催化刻蚀槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的酸制绒槽和第一水槽。

优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括：温控装置，其用于控制所述酸制绒槽中的酸性制绒液的温度恒定；以及位于所述第一水槽开口上方的第一喷头。

优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括位于所述酸制绒槽中的鼓泡装置。

优选的，所述金属催化刻蚀槽还包括：

铜离子检测装置，所述铜离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中；

氟离子检测装置，所述氟离子检测装置的电极插入所述酸制绒槽中的酸性制绒液中；以及

酸性制绒液输送装置，其用于向所述酸制绒槽中输送酸性制绒液。

优选的，所述残余金属清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第一酸槽和第二水槽。

优选的，所述残余金属清洗槽还包括位于所述第一酸槽中的超声波清洗装置和位于所述第二水槽开口上方的第二喷头。

优选的，所述二次清洗槽包括沿所述晶硅的操作方向排列的第二酸槽、第三水槽、碱槽和第四水槽。

优选的，所述二次清洗槽还包括分别位于所述第三水槽和第四水槽的开口上方的第三喷头和第四喷头。

优选的，所述干燥预处理槽包括：沿所述晶硅的操作方向排列的第三酸槽和第五水槽；以及位于所述第五水槽开口上方的第五喷头。

本实用新型的晶硅制绒槽成本低、通用性好，能用于单晶硅和多晶硅的制绒工艺中。

附图说明

以下参照附图对本实用新型实施例作进一步说明，其中：

图1是根据本实用新型第一个实施例的晶硅制绒槽的俯视图。

图2是根据本实用新型第二个实施例的晶硅制绒槽的俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本实用新型进一步详细说明。

图1是根据本实用新型较佳实施例的晶硅制绒槽的俯视图。如图1所示，晶硅制绒槽10包括沿晶硅的操作方向D依次排列的金属催化刻蚀槽11、残余金属清洗槽12、二次清洗槽13和干燥预处理槽14。其中晶硅的操作方向D是晶硅在制绒工艺线上的移动或运动方向。

金属催化刻蚀槽11包括沿晶硅的操作方向D排列的酸制绒槽111和水槽112；还包括用于控制酸制绒槽111中的酸性制绒液的温度的温控装置(图1未示出)、位于酸制绒槽111中的鼓泡装置113和位于水槽112开口上方的喷头114。在制作时，首先将晶硅放置在酸制绒槽111中，由于鼓泡装置113用于向酸性制绒液中鼓入气泡，从而晶硅表面在酸性制绒液作用下得到分布均匀的倒金字塔绒面。将制绒后的晶硅移动到水槽112中，通过喷头114向晶硅喷淋去离子水去除晶硅表面的酸性制绒液。

残余金属清洗槽12包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽121和水槽122；还包括位于酸槽121中的超声波清洗装置123和位于水槽122开口上方的喷头124。将晶硅移动到装有硝酸溶液的酸槽121中，在硝酸溶液和超声清洗作用下将晶硅表面残余金属氧化成金属离子并进入硝酸溶液中。之后将晶硅移动到水槽122中，通过喷头124向晶硅喷淋去离子水去除晶硅表面的酸性液体。

二次清洗槽13包括沿晶硅的操作方向D排列的酸槽131、水槽132、碱槽133和水槽134；还包括位于水槽132开口上方的喷头135和位于水槽134开口上方的喷头136。将晶硅依次放置在酸槽131、水槽132、碱槽133和水槽134进行两次清洗，以去除晶硅表面的各种附着物。