[实用新型]凸块结构及封装组件

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体封装领域，特别是涉及一种凸块结构及封装组件。

背景技术

凸块结构已经被广泛应用于倒装芯片封装工艺中，在倒装芯片封装工艺中，凸块结构直接结合到封装基板中的导电迹线上。凸块结构作为倒装芯片封装件的内部连接结构，具有连线密度高、封装尺寸小、电性能及热性能较好的特点。

现有技术中的凸块结构如图1所示，所述凸块结构11包括凸块下金属层114、位于所述凸块下金属层114上的铜柱111、位于所述铜柱111上的Ni层112及位于所述Ni层112上的SnAg层113；所述凸块结构11通过所述凸块下金属层114设置于一基座12上的金属焊垫13上，所述基座12的表面设有钝化层14，所述钝化层14对应所述金属焊垫13的地方设有开口。由图1可知，所述铜柱111的顶部为平面，所述Ni层112覆盖于所述铜柱111的顶部，作为焊料层的所述SnAg层113覆盖于所述Ni层112上，且所述SnAg层113的宽度与所述Ni层112及所述铜柱111的宽度相同。

在倒装芯片封装工艺过程中，图1中所示的结构倒置，且经由所述SnAg层113贴置于另一基座(未示出)的导电迹线15上，形成的封装组件如图2所示。然而，在倒装芯片回流工艺后，在高温条件下，位于所述铜柱111及所述导电迹线15之间的所述SnAg层113会融化并塌陷，融化的所述SnAg层113会从其原有的位置凸出，即如图2中所示，所述SnAg层113在所述铜柱111及所述导电迹线15的两侧形成有凸出。如果导电迹线间的间距非常小，相邻凸起结构就会相互接触导致短路，进而对器件造成损坏。为了避免短路，现有的倒装芯片封装件中导电迹线的间距必须保持足够的间距，这就限制了器件尺寸的小型化，进而增加了生产成本。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种凸块结构及封装组件，用于解决现有技术中在倒装芯片封装件中，由于焊料层在高温下从原有位置凸出而导致间距较小的导电迹线短路，从而限制了器件尺寸的小型化，增加了生产成本的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种凸块结构，所述凸块结构包括：

导电柱，所述导电柱的顶部形成有凹面；

覆盖层，所述覆盖层覆盖所述导电柱的顶部；

焊料层，所述焊料层位于所述凹面内的所述覆盖层上。

作为本实用新型的凸块结构的一种优选方案，所述覆盖层的宽度等于所述导电柱的宽度；所述焊料层的宽度小于或等于所述导电柱宽度的四分之三。

作为本实用新型的凸块结构的一种优选方案，所述导电柱包括铜柱；所述覆盖层包括Ni层；所述焊料层包括SnAg层。

作为本实用新型的凸块结构的一种优选方案，所述凸块结构还包括凸块下金属层，所述凸块下金属层位于所述导电柱的底部。

作为本实用新型的凸块结构的一种优选方案，位于所述凹面内的所述覆盖层及所述焊料层均呈凹面状。

作为本实用新型的凸块结构的一种优选方案，所述导电柱的形状为长方形。

本实用新型还提供一种封装组件，所述封装组件包括：

第一基底，所述第一基底表面设有金属焊垫；

如上述方案中所述的凸块结构，所述凸块结构位于所述金属焊垫上；

第二基底，所述第二基底表面设有导电迹线；所述凸块结构通过所述焊料层贴置于所述导电迹线上。

作为本实用新型的封装组件的一种优选方案，所述第一基底表面还设有钝化层，所述钝化层对应于所述金属焊垫的位置处设有开口，所述凸块结构经由所述开口与所述金属焊垫相连接。

如上所述，本实用新型的凸块结构及封装组件，具有以下有益效果：通过在导电柱的顶部设置凹面，并将焊料层设置于所述凹面内，使得所述焊料层在倒装芯片回流工艺后，即使在高温条件下，所述焊料层会被限制在所述凹面内，不会从其原有的位置凸出至所述导电柱的两侧，可以有效地避免相邻凸块焊料层接触发生短路；本实用新型可以使得倒装芯片封装件的尺寸更小、更轻，进而降低生产成本。

附图说明

图1显示为现有技术中的凸块结构的结构示意图。

图2显示为现有技术中的封装组件的结构示意图。

图3显示为本实用新型实施例一中提供的凸块结构的结构示意图。

图4显示为本实用新型实施例二中提供的封装组件的结构示意图。

元件标号说明

11凸块结构

111铜柱

112Ni层

113SnAg层

114凸块下金属层