[实用新型]一种用于直写曝光机的UVLED阵列光源收集利用装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及直写曝光机技术领域，具体来说是一种用于直写曝光机的UVLED阵列光源收集利用装置。

背景技术

随着UVLED发光芯片的技术更新，UVLED的发光功率也逐渐增大，UVLED也被使用在相关光刻设备上。相比目前使用较多的半导体激光器而言，UVLED光源具有更高的性价比。但是UVLED发光芯片在直写曝光机上的使用存在重要问题，就是如何形成光源收集利用。由于单颗UVLED发光功率低，因此在直写曝光机上使用UVLED光源时，需要使用多个UVLED发光芯片，那么如何将多个UVLED发光芯片形成阵列，从而达到增加整体功率的目的已经成为急需解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中针对UVLED发光芯片无法进行光源收集利用的缺陷，提供一种用于直写曝光机的UVLED阵列光源收集利用装置来解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种用于直写曝光机的UVLED阵列光源收集利用装置，包括UVLED发光芯片，所述的UVLED发光芯片前均放置有收集透镜，收集透镜前均放置有曲面复眼，UVLED发光芯片、收集透镜和曲面复眼的数量均为若干个，UVLED发光芯片的光源经收集透镜成像于曲面复眼上，曲面复眼前放置有倍率缩小镜头组，倍率缩小镜头组前放置有匀光棒，曲面复眼射出的光线经倍率缩小镜头组成像于匀光棒的入射端口，匀光棒前放置有倍率放大镜头组，倍率放大镜头组前放置有DMD芯片，匀光棒出光端口射出的光线经倍率放大镜头组成像于DMD芯片表面。

所述的倍率缩小镜头组包括正透镜A和正透镜B，正透镜A和正透镜B两者呈镜像对应，正透镜A的焦距大于正透镜B的焦距，曲面复眼射出的光线经过正透镜A和正透镜B成像于匀光棒的入射端口；所述的倍率放大镜头组包括正透镜C和正透镜D，正透镜C和正透镜D两者呈镜像对应，正透镜C的焦距小于正透镜D的焦距，匀光棒出光端口射出的光线经过正透镜C和正透镜D成像于DMD芯片表面。

所述的若干个UVLED发光芯片呈二维阵列方式布置，若干个收集透镜呈二维阵列方式布置，若干个曲面复眼呈二维阵列方式布置，相邻的UVLED发光芯片之间的间隔距离与相邻的收集透镜之间的间隔距离相等，相邻的收集透镜之间的间隔距离与相邻的曲面复眼之间的间隔距离相等。

所述的曲面复眼为矩形，曲面复眼的面型为球面。

所述的匀光棒为矩形，匀光棒的长宽比例与DMD芯片的长宽比例相同。

所述UVLED发光芯片、收集透镜和曲面复眼的数量均为6个。

有益效果

本实用新型的一种用于直写曝光机的UVLED阵列光源收集利用装置，与现有技术相比能够将UVLED阵列子光源收集，进行匀光整形后，成像于DMD表面，达到所需要的光斑尺寸。通过倍率缩小镜头组的设计，将多个UVLED阵列子光源集中收集到匀光棒上；通过匀光棒的设计，将收集的光线进行匀光并整形成矩形；通过倍率放大镜头组的设计，将匀光后的光线成像到DMD芯片表面，使其能够经投影镜头投影到曝光面。具有结构简单、成本低廉、实用性高的特点。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

其中，1-UVLED发光芯片、2-收集透镜、3-曲面复眼、4-倍率缩小镜头组、5-正透镜A、6-正透镜B、7-匀光棒、8-倍率放大镜头组、9-正透镜C、10-正透镜D、11-DMD芯片。

具体实施方式

为使对本实用新型的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：