[实用新型]一种双层TCO的CIGS太阳能电池有效
申请号: | 201520697853.5 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN204966512U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032 |
代理公司: | 南昌佳诚专利事务所 36117 | 代理人: | 闵蓉 |
地址: | 341000 江西省赣州市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 tco cigs 太阳能电池 | ||
1.一种双层TCO的CIGS太阳能电池,它包括增透保护层(1)、上电极(2)、光窗层一(3)、光窗层二(4)、光窗层三(5)、缓冲层(6)、主吸收层(7)、下电极(8)、阻障层(9)、衬底(10),其特征在于,所述增透保护层(1)、上电极(2)、光窗层一(3)、光窗层二(4)、光窗层三(5)、缓冲层(6)、主吸收层(7)、下电极(8)、阻障层(9)和衬底(10)从上到下依次连接。
2.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述衬底(10)优选不锈钢基板;所述阻障层(9)优选Ti、Cr、Mo、SiO2或TiN;所述下电极(8)优选MoNa/Mo两层结构层;所述主吸收层(7)优选CIGS;所述缓冲层(6)优选CdS;所述光窗层三(5)优选ZnO;所述光窗层二(4)优选IZO;所述光窗层一(3)优选ITO或AZO;所述上电极(2)优选Ag电极,所述增透保护层(1)优选SiO2或MgF2。
3.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述增透保护层(1)优选SiO2时,其薄膜厚度为50-300nm,其折射率为1.44-1.46;所述增透保护层(1)优选MgF2时,其薄膜厚度为50-300nm,其折射率为1.35-1.38。
4.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述上电极(2)优选Ag电极时,其薄膜厚度为25-100um,电阻率小于5x10-5Ωcm。
5.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述光窗层一(3)优选ITO时,其薄膜厚度为25-150nm,折射率为1.9-2.1,所述光窗层一(3)优选AZO时,其薄膜厚度为25-150nm,折射率为2.0-2.1。
6.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述光窗层二(4)优选IZO时,其薄膜厚度为100-500nm,折射率为1.9-2.2;所述光窗层三(5)优选ZnO时,其厚度为50-300nm,折射率为2.0-2.1。
7.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述缓冲层(6)优选CdS时,其厚度为50-300nm,折射率为2.2-2.6。
8.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述主吸收层(7)优选CIGS时,其厚度为500-3000nm。
9.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述下电极(8)优选MoNa/Mo双层结构层时,其MoNa的厚度为50-300nm,Mo的厚度为100-500nm。
10.根据权利要求1所述的一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其特征在于,所述阻障层(9)优选Ti时,其厚度为25-200nm;所述阻障层(9)优选Cr时,其厚度为25-200nm,所述阻障层(9)优选Mo时,其厚度为25-200nm;所述阻障层(9)优选TiN时,其厚度为25-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的