[实用新型]一种双层TCO的CIGS太阳能电池有效
申请号: | 201520697853.5 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN204966512U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 黄信二 | 申请(专利权)人: | 研创应用材料(赣州)股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032 |
代理公司: | 南昌佳诚专利事务所 36117 | 代理人: | 闵蓉 |
地址: | 341000 江西省赣州市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 tco cigs 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种双层TCO的CIGS太阳能电池。
背景技术
太阳能电池的种类众多,而CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池拥有高转换效率及发展潜力而受到瞩目,目前CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池最高转换效率由美国再生能源实验室(NREL)所创造,其效率已达20%。CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池发展至今其组件结构大致件由上电极(AL/Ni)、光窗层(AZO低阻和ZnO高阻)、缓冲层(CdS)、吸收层(CIGS)、背电极(Mo/NaMo)与基板(GLASS)所组成;传统光窗层主要是以AZO(锌铝氧化物)靶材利用真空直流磁控溅射镀膜而成。本产品的开发利用两层较薄的透明导电膜(TCO)取代用一层较厚的AZO薄膜的电池设计,使用磁控溅射镀膜技术来制备双层光窗层薄膜,从而形成新型双层TCO的CIGS薄膜太阳能电池结构。
透明导电薄膜(TCO)由于具有优良的光透性和导电性能,可用于CIGS薄膜太阳能电池的前电极材料和窗口层材料,传统的透明导电材料(TCO)属于结晶型材料如ITO及AZO等材料。比如掺铝氧化锌(AZO)虽然价格便宜,但由于AZO薄膜电阻较高,要达CIGS电池所需的电阻,一般AZO薄膜须要1000nm的厚度,因此一般可见光(550nm波长)光透率都小于82%,在长波长的红外光波段(800-1200nm波长),透光度更是大幅降低(<75%),严重影响光的吸收及转换效率。传统的ITO具有可见光高透光及高导电的特性,但价格高昂且长波长区域透光性也不佳。非晶型的透明导电材料如IZO是最近发展的趋势,具有导电性佳、低温成膜、透光度佳、价格适中、薄膜热稳定性佳等优点,但由于是非晶态薄膜,在上电极丝印的过程中不易藉由晶界与金属进行扩散,使得两者间的接触电阻较高且不稳定。本产品的开发利用新型较薄的IZO薄膜替代传统较厚的AZO薄膜,进一步减小了光窗膜层厚度,不但提高了可见光和长波长光透性且也进一步提高了生产效率,同时新增一薄层结晶性透明导电膜层在IZO膜层之上如AZO或者ITO等来降低接触电阻、从而提高CIGS薄膜电池的转化效率。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种双层TCO的CIGS太阳能电池,其改变传统CIGS薄膜太阳能电池窗口层成分,采用双层较薄的透明导电膜层,形成新型薄膜电池结构,提高太阳光透过率,从而提高薄膜太阳能电池的光电转换效率。
本实用新型是这样实现的,它包括增透保护层、上电极、光窗层一、光窗层二、光窗层三、缓冲层、主吸收层、下电极、阻障层、衬底,其特征在于,所述增透保护层、上电极、光窗层一、光窗层二、光窗层三、缓冲层、主吸收层、下电极、阻障层和衬底从上到下依次连接。
所述衬底优选不锈钢基板;所述阻障层优选Ti、Cr、Mo、SiO2或TiN;所述下电极优选MoNa/Mo两层结构层;所述主吸收层优选CIGS;所述缓冲层优选CdS;所述光窗层三优选ZnO;所述光窗层二优选IZO;所述光窗层一优选ITO或AZO;所述上电极优选Ag电极,所述增透保护层优选SiO2或MgF2。
所述增透保护层优选SiO2时,其薄膜厚度为50-300nm,其折射率为1.44-1.46;所述增透保护层优选MgF2时,其薄膜厚度为50-300nm,其折射率为1.35-1.38。
所述上电极优选Ag电极时,其薄膜厚度为25-100um,电阻率小于5x10-5Ωcm。
所述光窗层一优选ITO时,其薄膜厚度为25-150nm,折射率为1.9-2.1,所述光窗层一优选AZO时,其薄膜厚度为25-150nm,折射率为2.0-2.1。
所述光窗层二优选IZO时,其薄膜厚度为100-500nm,折射率为1.9-2.2;所述光窗层三优选ZnO时,其厚度为50-300nm,折射率为2.0-2.1。
所述缓冲层优选CdS时,其厚度为50-300nm,折射率为2.2-2.6。
所述主吸收层优选CIGS时,其厚度为500-3000nm。
所述下电极优选MoNa/Mo双层结构层时,其MoNa的厚度为50-300nm,Mo的厚度为100-500nm。
所述阻障层优选Ti时,其厚度为25-200nm;所述阻障层优选Cr时,其厚度为25-200nm,所述阻障层优选Mo时,其厚度为25-200nm;所述阻障层优选TiN时,其厚度为25-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的