[实用新型]镀膜装置及其载具有效
申请号: | 201520714007.X | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN204959032U | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 王佩然;张松;夏世伟;张为国;刘成法;刘超;季海晨 | 申请(专利权)人: | 上海大族新能源科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲 |
地址: | 201615 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 装置 及其 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种载具及具有该载具的镀膜装置。
背景技术
在现代工业化生产中,往往需要对各类工件进行表面镀膜处理,例如,光伏行业、半导体行业等。在光伏行业中,晶硅太阳能电池在生产过程中的一个重要环节为镀减反射膜。一般地,采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法进行镀减反射膜。
在镀膜过程中,将硅片放置在载具中进行镀膜。一般地,所采用的载具上分布着呈网络状分布的方形通孔,通孔的尺寸要大于硅片的尺寸,例如,普遍使用的硅片的尺寸为156mm×156mm,而通孔的尺寸为158mm×158mm。为了使得硅片能在通孔中固定住而对其进行镀膜,在通孔的底部设置有挂钩来承载硅片,防止硅片掉落。但是,通孔和硅片之间留有1-2mm左右的间隙,会引起绕镀的现象,绕镀指的是在对硅片进行镀膜时,由于硅片和载板之间有空隙,导致各种反应气体穿过空隙在硅片的另一表面发生反应,在硅片的另一表面上也形成镀膜。
实用新型内容
基于此,有必要针对镀膜过程中存在的绕镀的问题,提供一种载具及镀膜装置。
一种载具,用于工件镀膜,其中,所述载具包括:
本体,所述本体上开设有第一开口、第二开口以及第一空腔,所述第一开口和所述第二开口分别与所述第一空腔连通,且所述第一开口和所述第二开口相对;
容纳结构,所述容纳结构设置在所述第一空腔内,所述容纳结构包括第三开口、第四开口以及第二空腔,所述第三开口和所述第四开口分别与所述第二空腔连通,所述第三开口和所述第四开口相对,所述第二空腔的横截面的形状与所述工件的形状相适配;从所述第三开口到所述第四开口的方向上,所述第二空腔的横截面的面积逐渐减少,且所述第四开口的面积小于所述工件的最大横截面的面积。
在其中一个实施例中,多个所述容纳结构位于所述第一空腔内,且所述多个容纳结构呈网格状分布。
在其中一个实施例中,所述多个容纳结构之间可拆卸连接。
在其中一个实施例中,所述本体和所述多个容纳结构一体成型。
在其中一个实施例中,所述第二空腔的内壁上开设有多个凹槽,所述多个凹槽位于同一水平面上,且所述多个凹槽相互连通。
在其中一个实施例中,所述凹槽所在的水平面和所述第四开口所在的水平面之间的垂直距离小于等于2毫米。
在其中一个实施例中,在从所述第三开口到所述第四开口的方向上,所述第二空腔的形状为倒梯形状。
在其中一个实施例中,所述第二空腔的垂直高度为5-10毫米。
在其中一个实施例中,所述第二空腔的内壁的四周设有多个凸起,所述多个凸起位于同一水平面上,且所述多个凸起依次连接。
一种镀膜装置,包括上述载具。
上述镀膜装置及其载具,该载具包括本体和容纳结构,本体上开设有具有两端开口的第一空腔,从而容纳结构设置在第一空腔中,且该容纳结构包括第三开口、第四开口以及第二空腔,第三开口和第四开口分别与第二空腔连通,第三开口和第四开口相对,在第三开口到第四开口的方向上,第二空腔的横截面的面积逐渐减少,第四开口的面积小于工件的面积,从而使得工件放置在第二空腔中时,工件不会掉落,又第二空腔的横截面的形状与工件的形状相适配,从而工件能和第二空腔的内壁很好地贴合,从而保证工件和第二空腔之间没有间隙,进而使得在对工件进行镀膜过程中,反应气体通过第二开口和第四开口后,对工件的一面进行镀膜,不会影响工件的不需要镀膜的另一面,不会引起绕镀的现象。
附图说明
图1为一实施例的载具的结构示意图;
图2为图1中所示A的局部放大图;
图3为图1中所示的本体的剖视图;
图4为图1中所示的容纳结构的剖视图。
具体实施方式
如图1所示,载具100包括本体110和多个容纳结构120。载具100用于工件镀膜。在本实施例中,以硅片镀膜为例,载具100用于硅片镀膜。
具体地,如图3所示,本体110上开设有第一开口111、第二开口112以及第一空腔113,第一开口111和第二开口112分别与第一空腔113连通,且第一开口111和第二开口112相对。本体110所采用的材料可以为石墨、碳纤维板、金属、塑料等。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的