[实用新型]用于保护芯片选择性部分的刚性掩模有效
申请号: | 201520715062.0 | 申请日: | 2015-09-15 |
公开(公告)号: | CN205313517U | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | A·布拉曼蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | C12M1/00 | 分类号: | C12M1/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 意大利;IT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保护 芯片 选择性 部分 刚性 | ||
技术领域
本实用新型涉及用于保护芯片选择性部分的刚性掩模。
背景技术
如已知的,根据各种识别模式,核酸的分析需要以下预备步骤: 生物物质样本的制备、包含于其中的核物质的扩增、以及对应于序 列寻求的单个靶标或参照链的杂化。
在预备步骤的结尾,必须检查样本以确认是否已规则地发生扩 增。
根据称为“实时PCR”的方法,通过合适地选择的热周期对DNA 进行扩增,并且在整个过程中通过荧光反应检测和监控扩增反应的 演进。
扩增反应以这样的方式进行,即,包含在设置于支撑物中的识 别室中的链(strand)包含荧光分子或荧光团。设计为用于样本光学 读数的PCR分析仪在US2012/0170608以及US2013/0004954中描 述。
存在提供具有识别室的芯片的需求,识别室具有亲水基体部分 和疏水侧向边缘部分。根据现有技术,通过在芯片上设置亲水表面 以及限定多个室的由疏水材料形成的外壳结构(containment structure)来实现上述需求。在缺少疏水限制的情况下,包含在室(包 括生物样本和反应剂)中的溶液可呈现过度的外围分布,这会损害 反应条件(危害反应条件的均一性到以至于显著减慢或完全阻止反 应的程度)以及信号的外部检测。考虑布置在芯片上的情况,设置 有二氧化硅(可能进一步被处理以改进其亲水性)表面的是聚碳酸 酯结构,该聚碳酸酯结构邻接在反应室上。此外使得这些室中的每 一个设置有加热器和温度传感器或者其他类型的执行器和传感器。 使得该系统还包括用于检测指示反应本身演进的信号的外部系统。 清楚的是,在这样的构造中,这些系统在室的中央区域处是最有效 的。例如,加热器将布置在中央,并且将以最大的精度控制反应发 生在流体降落的中央区域中的温度,而预期的是温度的近似径向梯 度。在其中由于聚碳酸酯的疏水性不足而导致径向区域受到流体中 显著部分的浓度影响,这可表示尤其是在对温度非常敏感的生物反 应(诸如通过PCR进行DNA扩增)的情况下对反应正常进行的严 重阻碍。此外,在相同的实例中,用于检测荧光信号的传感器将聚 焦在中央区域中,在流体体积不足的情况下可减弱检测到的量化信 号,从而导致在估算通过PCR得到的DNA量方面的错误。
例如,已知使用产生等离子体的反应器,以便使得聚碳酸酯表 面疏水。
然而,为此,有利的是以保留反应室的亲水性或者在任何情况 下不使得它们变得疏水的方式对反应室的底部进行掩模。为此,通 常将诸如铝、镍或铬的金属,或者将诸如氮化铝(AlN)或氧化铝 (Al2O3)的化合物,或者再次将碳化硅(SiC)或五氧化二钽(Ta2O5) 作为掩模。可参照例如JohnWiley&Sons出版社出版的“微制造导 论(Introductiontomicrofabrication)”(SamiFranssila著)第二版 第138页。通过以下步骤获得所述掩模:借助沉积和蚀刻的连续步 骤将在反应室内沉积金属层用于覆盖室自身底部,并且然后进行等 离子处理用于使室的未进行掩模的侧表面疏水。最终,金属掩模层 在之后被移除。
显然的是,现有技术带来了兼容性和过程的严重问题。特别地, 金属掩模的形成是不理想的,因为其延长过程步骤并使过程步骤变 得复杂,并且金属掩模的形成对于整体形成于芯片自身中的可能电 子设备而言可能是污染源。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供用于保护芯片选择性部分的刚性掩 模,其将能够降低所述分析过程中的读数错误的风险。
根据本公开的一个方面,提供了一种刚性掩模,用于在用于生 化反应的芯片的化学/物理处理期间保护所述芯片的选择性部分,其 中所述芯片包括多个井,所述生化反应在所述井处发生,所述井具 有底部并且根据图案进行布置,所述刚性掩模此外在至少第一方向 上相对于所述芯片是活动的,并且所述刚性掩模包括:支撑部分; 以及多个支腿,每个支腿均设置有刚性芯柱和板,所述刚性芯柱具 有固定至所述支撑部分的第一端以及固定至所述板的第二端,其中 所述支腿根据所述图案而固定至所述支撑部分并且以以下方式配 置:当每个所述支腿插入在对应的井中时,相应的板至少部分地覆 盖所述井的底部,从而在所述化学/物理处理期间提供保护。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520715062.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种医学生物培养摇床
- 下一篇:蜡烛点花装置