[实用新型]光谱仪装调测试用视场光阑组件有效
申请号: | 201520737162.3 | 申请日: | 2015-09-22 |
公开(公告)号: | CN205037970U | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 袁立银;陈爽;钱立群;何志平;王跃明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | G01J3/02 | 分类号: | G01J3/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光谱仪 测试 视场 光阑 组件 | ||
技术领域
本专利涉及遥感探测领域中的成像光谱仪的装调测试用组件,具体是指一种在推帚式机载或星载成像光谱仪之光谱仪光电联调过程中,使用的装调测试视场光阑组件。
背景技术
成像光谱仪在遥感探测领域中占有重要地位,它既能获得被探测目标的面貌特征,又能分析其物质组成成分。推帚式成像光谱仪,在对地面推扫飞行过程中,通过一个一维视场光阑,经过光谱仪分光成像,用一个二维面阵探测器来同时接收地物目标的空间维和光谱维信息。
推帚式成像光谱仪的代表仪器有:CASI、SFSI、Hyperion等,从相关文献中可知,该类仪器对装调过程中的视场光阑和探测器的相对空间关系要求严格,以尽量在硬件上控制空间位置失调引入的畸变,以降低定标和数据处理工作量。
随着光谱成像探测精度要求的提高,不仅在设计上要求提高指标参数和设计水平,同时对装调测试的精度要求也随之变得苛刻。装调好的成像光谱仪在实际应用中,其使用的视场光阑为一条狭缝,汞灯照射时,在探测器面阵上色散开一系列狭缝谱线。在像元级精度要求的情况下,光谱仪的光电联调可以通过调整探测器使两条谱线两端清晰,用两点决定一线、两线决定一面来确定探测器的装调状态。在视场光阑不占满光谱仪探测器空间维像元的情况下,也可以像元级精度对准空间维位置。然而,这种方法精度有限。极端的例子是,对于光谱采样比较大而空间分辨率比较高的仪器,对汞灯几条光谱线的调节,并不能达到最好的空间分辨率,那么仪器的装调不能体现仪器本身的最佳水平;而且装调过程中不能定量的给出光谱仪的空间分辨率。由于现今对成像光谱仪精度要求提高到亚像元级甚至更高,光谱仪光电联调包括面阵探测器上空间维位置、旋转和偏摆,光谱维位置、旋转和俯仰,轴向对准共六维的精密调整。这就需要光电联调过程中,能方便观测视场光阑组件在探测器面阵上的光谱维和空间维状态,可以通过一个带有二维图案的装调测试用视场光阑组件来实现。本发明设计研发了一种专门针对成像光谱仪在光谱仪光电联调阶段装调测试用的视场光阑组件,该组件配合不同光源,便于光谱仪光电联调,提高装调效率和精度。
发明内容
本专利解决的技术问题是:基于上述已有技术存在的一些问题,本专利的目的是设计一种光谱仪装调测试用视场光阑组件,在光电联调过程中,能方便观测视场光阑组件在探测器面阵上的光谱维和空间维状态,提高装调效率和装调精度。
本专利的装调测试用视场光阑组件如图1所示。所述的装调测试用视场光阑组件由光阑座1和光阑基片2组成。
所述的光阑基片2,一个表面上有二维图案3,二维图案3以外区域为吸光区域。
本专利的光阑图案3如图2所示。所述的二维图案3,是一组有规律分布的明暗条纹,明条纹透光,暗条纹吸光。所述的二维图案3关于光阑基片2的中心对称,有A、B、C、D、E五个区域,分布在成像光谱仪的右侧边缘视场、右侧中间视场、中心视场、左侧中间视场、左侧边缘视场。竖向的五对明暗条纹中的条纹宽度和间隔对应探测器上的一个元,长度对应探测器上的十个元;横向的条纹宽度,对应探测器上的一个元,长度对应探测器上的十个元;横竖条纹的间隔对应探测器上的十个元。
所述的二维图案3的明暗条纹尺寸和形位公差严格,而与光阑基片2的相对形位公差较宽松。二维图案3与光阑座1的形位公差严格,通过调整光阑基片2在光阑座1的位置来实现。
本专利组件的优点是:结合汞灯光源照明视场光阑,探测器上同时出现横竖条纹的像,横条纹对应汞灯的光谱特征线,竖条纹对应空间分布,通过观测探测器上的横竖条纹的像的位置和清晰度,可以进行探测器相对于视场光阑的六维调节,并且可以检测出光栅相对于视场光阑的旋转失调并进行光栅调校。结合复色光源照明视场光阑,探测器上会出现对应竖条纹的像,因此可以测试出光谱仪中心视场、中间视场以及边缘视场的空间成像质量。
附图说明
图1为装调测试用视场光阑组件示意图,
图中:
1为光阑座;
2为光阑基片;
3为光阑二维图案。
图2为光阑图案示意图,
(a)光阑图案分布示意图;
(b)中心图案C区示意图;
(c)右侧图案A区、B区示意图;
(d)左侧图案D区、E区示意图;
L为基片长度;
W为基片宽度;
a为明暗条纹宽度及间隔;
b为条纹长度及横竖条纹间的距离;
c为中间视场图案距中心视场间隔;
d为边缘视场图案距中心视场间隔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520737162.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。