[实用新型]一种太阳能硅片水中分片装置有效
申请号: | 201520761990.0 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN204927265U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 俞建峰;盛卫锋;李汉华;王永平 | 申请(专利权)人: | 江南大学;常州有则科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/301 |
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地址: | 214122 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 水中 分片 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能切割硅片在水中逐片分离的技术领域,通过该装置能够实现水中叠放硅片的有效分片。
背景技术
硅片加工是光伏产业中的关键工序,影响光伏组件的质量和成本。硅棒切片后的硅片上粘有硅片切削液,硅片与硅片之间既有表面张力作用又有切削液粘连作用;同时硅片非常薄,只有180-200微米,其力学特性是怕压易脆,如果受力不当,极易破损。太阳能硅片插片机需要在水中实现硅片的分离、吸片。在水中,硅片得到进一步清洗,降低了硅片之间的粘连作用。通过水力喷射作用,硅片与硅片之间产生分离力,可以实现硅片之间的逐片分离。通过吸附板上部的吸水管作用,在吸附板底部形成负压区域,保证硅片的顺利吸附。在传输带摩擦力、吸附力和分离力的三重作用下,硅片从水中实现分离、吸附,顺利到达输送带上。
硅片水中分片装置是太阳能硅片插片机的核心部分,直接影响到插片机的工作质量。现有设备对粘连的硅片存在难以相互分离的缺点,导致连片硅片传送至下一级装置,造成硅片损坏以及设备暂停等现象发生。如何开发出硅片水中有效分片的装置是硅片插片机设计的难点之一。本实用新型采用水中强力射流技术,在叠放硅片的前方、左右方应用水中射流技术使硅片得以清洗和分离。精确计算的水流方向和速度以保证硅片逐片分离并且无损伤;并且能够强行分离附着力大的硅片叠片。
实用新型内容
本申请人针对上述现有硅片插片机技术中的缺点,提供一种水中硅片分离技术,从而大大提高了硅片分离和分片的自动化程度,提高硅片分离的有效性,可应用到太阳能硅片分离场合。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种太阳能硅片水中分片装置,包括正面喷射部分,左侧喷射部分和右侧喷射部分,正面喷射进水管,左侧喷射进水管,右侧喷射进水管.所述正面喷射部分的一端与分水管相连,正面喷射板上开有微型圆孔或方孔,所述左侧喷射部分的一端与分水管相连,侧面喷射头上开有微型圆孔或方孔,所述右侧喷射部分的一端与分水管相连,侧面喷射头上开有微型圆孔或方孔.所述进水管分别安装有阀门和压力传感器。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型水中分片效果好,采用水中射流技术,能够在水中分离160mm*158mm*0.18mm的硅片。
本实用新型所述的正面喷射部分的水流喷射距离为2~3cm,侧面喷射距离为5~6cm。
附图说明
图1和图2为本实用新型的结构示意图。
其中:1、正面喷射部分;2、右侧喷射部分;3、右侧喷射进水管;4、左侧喷射部分;5、右侧喷射进水管;6、正面喷射进水管;7、硅片。
具体实施方式
下面结合附图,说明本实用新型的具体实施方式。
如图1所示,本实施例的太阳能硅片水中分片装置,包括正面喷射部分1;右侧喷射部分2;右侧喷射进水管3;左侧喷射部分4;左侧喷射进水管5;正面喷射进水管6。
硅片分片过程如下:
一叠硅片置于料篮中,硅片离正面喷射部分1的距离为1.5cm,具有压力的水经过正面喷射进水管6进入正面喷射部分,正面喷射部分1上的微型圆孔上水流高速射出,喷射到硅片7上,硅片与硅片之间产生分离力;具有压力的水经过左侧喷射进水管6进入左侧喷射部分4,左侧喷射部分4上的微型圆孔上水流高速射出,喷射到一叠硅片的左侧;具有压力的水经过右侧喷射进水管3进入右侧喷射部分2,右面喷射部分上的微型圆孔上水流高速射出,喷射到一叠硅片的右侧。硅片7在三个方向的水流喷射下,硅片7逐片分离并且无损伤;并且能够强行分离附着力大的叠片。
以上描述是对本实用新型的解释,不是对实用新型的限定,本实用新型所限定的范围参见权利要求,在本实用新型的保护范围之内,可以作任何形式的修改。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造