[实用新型]超薄IGBT芯片及利用该芯片封装的功率模块有效
| 申请号： | 201520767211.8 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN205122592U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 步建康;徐朝军;李士垚 | 申请（专利权）人： | 河北昂扬微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人： | 张红卫;刘谟培 |
| 地址： | 050000 河北省石家庄市裕*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄 igbt 芯片 利用 封装 功率 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄IGBT芯片，包括沟槽（11），在沟槽（11）内设有多晶硅（12），在沟槽（11）上设有用于密封多晶硅（12）、具有压缩型表面张力的TEOS层（13），其特征在于：所述TEOS层（13）上层叠有张力型表面张力层（14）。
2.根据权利要求1所述的超薄IGBT芯片，其特征在于：所述张力型表面张力层（14）为氮化硅层。
3.一种利用超薄IGBT芯片封装的功率模块，基于权利要求1或2中所述的超薄IGBT芯片封装，其特征在于：包括超薄IGBT芯片（1），在超薄IGBT芯片（1）上层叠有钝化层（2），所述钝化层（2）包括竖向层叠的上下两层，所述下层为层叠于超薄IGBT芯片（1）上方的压缩型氮化硅钝化层（21），上层为叠层于压缩型氮化硅钝化层（21）的张力型氮化硅钝化层（22）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北昂扬微电子科技有限公司，未经河北昂扬微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520767211.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
