[实用新型]一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置有效

专利信息
申请号: 201520811434.X 申请日: 2015-10-19
公开(公告)号: CN205035486U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 孙昊;刘铮;涂颂昊;郝大维;王遵义;刘琨;郭宝川;张雪囡;由佰玲;王彦君 申请(专利权)人: 天津市环欧半导体材料技术有限公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00;C30B29/06
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 陈雅洁
地址: 300384 天津市滨海新区*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 区熔硅单晶炉 拆装 系统 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于单晶硅生产设备领域,尤其是涉及一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置。

背景技术

区熔法生长单晶硅是目前生产单晶硅最先进的应用技术,而区熔单晶炉内的拆装炉系统是重要的系统之一,清炉的主要作用是保证单晶在拉制过程中无杂质掉落,其直接影响单晶的成晶以及单晶的品质,现有的清炉装置主要由人工擦拭加吸尘器组成,此清炉方式的缺点在于清炉时间较长,对吸尘器的吸力要求较严格并且有可能发生再次沾污,影响接下来的单晶生长工作。

发明内容

有鉴于此,本实用新型旨在提出一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置,以解决清炉时间长以及清炉不彻底等问题。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置,包括外接压缩空气管道、内接压缩空气管道和清炉气盘;所述清炉气盘位于炉体内部,所述清炉气盘为一圆盘,所述圆盘一端面上设置有进气口,另一端面上设置有若干个均匀分布的气孔,所述进气口与所述气孔相连通,所述清炉气盘设置气孔的一端与炉体上设置的轴体一端固定连接;所述内接压缩空气管道一端与所述进气口相连,另一端固定在炉体上,所述外接压缩空气管道设置于所述炉体外侧,所述外接压缩空气管道一端在所述炉体上与所述内接压缩空气管道相连,另一端与气源相连。

进一步的,所述清炉气盘的个数为两个,分别与设置在炉体上部和下部的轴体相连。

进一步的,所述内接压缩空气管道为可伸缩的波纹管。

进一步的,所述轴体可带动所述清炉气盘在炉体内上下移动。

进一步的,所述清炉气盘上气孔的个数为24个。

进一步的,所述外接压缩空气管道与所述内接压缩空气管道通过法兰相连,所述炉体上设有法兰口,所述法兰位于所述法兰口内。

相对于现有技术,本实用新型所述的用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置具有以下优势:结构简单,操作方便,可快速清炉,提高了工时利用率,从而提高了产能,降低了成本,且清炉较彻底,为单晶品质的提升提供了基础保障。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1为本实用新型的结构示意图。

附图标记说明:

1-清炉气盘,11-气孔,2-内接压缩空气管道,3-外接压缩空气管道,4-法兰,5-轴体。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

如图1所示,一种用于区熔硅单晶炉拆装炉系统的清炉装置,包括外接压缩空气管道3、内接压缩空气管道2和清炉气盘1;

所述清炉气盘1位于炉体内部,所述清炉气盘1为一圆盘,所述圆盘一端面上设置有进气口,所述圆盘另一端面设置有24个均匀分布的气孔11,所述进气口与所述气孔11相连通,所述清炉气盘1设置气孔11的一端与炉体上设置的轴体一端固定连接;

所述内接压缩空气管道2一端与所述进气口相连,另一端固定在炉体上,所述外接压缩空气管道3设置于所述炉体外侧,所述外接压缩空气管道3一端在所述炉体上与所述内接压缩空气管道2相连,另一端与气源相连;

优选的,所述清炉气盘1的个数为两个,分别与设置在炉体上部和下部的轴体5相连,所述内接压缩空气管道2为可伸缩的波纹管,所述轴体5可带动所述清炉气盘1在炉体内上下移动;

优选的,所述外接压缩空气管道3与所述内接压缩空气管道2通过法兰4相连,所述炉体上设有法兰4口,所述法兰4位于所述法兰4口内;

本实例的工作过程:当需要清炉时,打开压缩空气气源,压缩空气沿外接压缩空气管道3和内接压缩空气管道2后流向清炉气盘1中并释放,与此同时移动轴体5使压缩空气均匀的清理到炉膛每一个角落,并开启真空泵将吹下的挥发物和杂质等抽出炉外。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司,未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520811434.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top