[实用新型]测试组件单元、基板、显示面板以及显示装置

权利要求书

1.一种测试组件单元，包括：多层测试图形，每层测试图形包括多个测试块，不同层的测试块之间分别形成多个相应的电容器。

2.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，每层测试图形还包括多条测试线，所述多条测试线宽度互不相同并且间隔分开。

3.根据权利要求2所述的测试组件单元，其中，多个测试块通过多条测试线连接。

4.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，所述多个测试块包括位于不同层的由用于形成栅极的金属层形成的栅极金属测试块、由介质层形成的介质层测试块、由用于形成源极和漏极的金属层形成的源极和漏极金属测试块以及由用于形成像素电极层的像素层形成的像素电极金属测试块。

5.根据权利要求2所述的测试组件单元，其中，测试线包括多晶硅测试线、用于形成栅极的金属层形成的栅极金属测试线、由用于形成源极和漏极的金属层形成的源极和漏极金属测试线、由间隔层形成的间隔层测试线以及用于形成像素电极层的像素层形成的像素电极测试线。

6.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，不同层的测试图形之间设置有间隔层，间隔层为栅极绝缘层或层间绝缘层。

7.根据权利要求5所述的测试组件单元，其中尺寸不同的两组多晶硅测试线、源极和漏极金属测试线和栅极金属测试线的部分构成具有较长沟道的薄膜晶体管和具有较短沟道的薄膜晶体管。

8.根据权利要求7所述的测试组件单元，其中所述长沟道的薄膜晶体管和所述具有较短沟道的薄膜晶体管配置成所述长沟道的薄膜晶体管的漏极和所述具有较短沟道的薄膜晶体管的漏极共享一个测试块作为接触电极并且所述长沟道的薄膜晶体管的源极和所述具有较短沟道的薄膜晶体管的源极共享一个测试块作为接触电极。

9.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，不同层上的测试图形布置成使得通过测量不同层上的测试块在同一平面上的投影的间距能够测量不同层上的测试块之间的重叠。

10.根据权利要求9所述的测试组件单元，其中，栅极金属测试块在下层，像素电极金属测试块在上层，通过检测栅极金属测试块和像素电极金属测试块之间在层所处的平面的延伸方向上的间距能够量测栅极金属测试块和像素电极金属测试块之间的重叠。

11.根据权利要求4所述的测试组件单元，其中，电容器的电极包括位于不同层上的栅极金属测试块、源极和漏极金属测试块以及像素电极金属测试块中任意两个，电容器的介质层包括栅极绝缘层和层间绝缘层中的一个。

12.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，不同层之间的多条测试线通过多个过孔连接。

13.根据权利要求12所述的测试组件单元，其中，多个过孔的孔径互不相同。

14.根据权利要求1所述的测试组件单元，其中，每层测试图形还包括测试框，其中上层的测试框在下层的投影在下层的测试块外侧，以便上层的测试框在下层的投影的边缘与下层的测试块侧边之间相间隔。

15.一种包括测试组件单元的基板，包括显示区和非显示区，所述非显示区内设置至少一个测试组件单元，所述显示区内设置多条数据线、多条栅线、多个薄膜晶体管和多个像素电极，所述测试组件单元为权利要求1-14中任一项所述的测试组件单元。

16.根据权利要求15所述的基板，其中薄膜晶体管为顶栅薄膜晶体管。

17.根据权利要求15所述的基板，其中所述至少一个测试组件单元包括两层测试图形，下层测试图形由半导体材料制成，且与基板的有源层同层设置，上层测试图形由金属材料制成，且与基板的数据线同层设置；

所述至少一个测试组件单元包括两层测试图形，下层测试图形由金属材料制成，且与基板的数据线同层设置，上层测试图形由金属材料制成，且与基板的栅线同层设置；和/或

所述至少一个测试组件单元包括两层测试图形，下层测试图形由金属材料制成，且与基板的数据线同层设置，上层测试图形由透明电极材料制成，且与基板的像素电极同层设置。