[实用新型]测试组件单元、基板、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201520811837.4 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN205092238U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 詹裕程;张帅;刘祺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 组件 单元 基板 显示 面板 以及 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示领域,具体地,涉及测试组件单元、阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
现在人们对高分辨率的显示器需求越来越高。显示器的分辨率越高意味着该显示器的显示面板内的像素个数越多,而像素个数越多则对显示面板的工艺能力的要求也越高,相应地,对工艺能力的检测时效性的需求也需要提高。
现有的检测技术通常在各个不同层设计数个测试组件单元,然后进行单层单个功能的测试。因此,当进行后层工艺时,如果发现工艺出现异常,现有检测技术不能够进行即时的检测。
特别是针对类似于低温多晶硅技术(LTPS)顶栅结构的器件而言,由于光掩模数量较多,工艺较为复杂,如果不能够即时的反应生产过程的不良,将造成产品的制作成本与时间上的极大浪费。
实用新型内容
鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种即时测试组件单元(TEG),利用该即时测试组件单元能够即时监控和判别现行设备和工艺在多层膜工艺中的工艺参数,并通过检测结果及时调整工艺参数,由此提高工艺稳定度改善工艺性能,降低不良工艺带来的风险和浪费。
本实用新型的目的还在于提供一种即时测试组件单元,利用该即时测试组件单元能够同时即时监控不同的长短沟道薄膜晶体管器件的特性。
本实用新型的目的还在于提供一种即时测试组件单元,利用该即时测试组件单元能够同时即时监控不同的夹层电容。
本实用新型的目的还在于提供一种即时测试组件单元能够将重叠、工艺能力、电容以及薄膜晶体管器件长短沟道的测定整合一起,使用同一即时测试组件单元来完成上述的功能,降低量测成本。
根据本实用新型的一方面,提供一种测试组件单元包括:多层测试图形,每层测试图形包括多个测试块,不同层之间的测试块之间分别形成多个相应的电容器。
根据本实用新型的一方面,提供一种包括测试组件单元的基板,包括显示区和非显示区,所述非显示区内设置至少一个测试组件单元,所述显示区内设置多条数据线、多条栅线、多个薄膜晶体管和多个像素电极,所述测试组件单元为上述的测试组件单元。
根据本实用新型的一方面,提供一种包括基板的显示面板,包括上述基板。
根据本实用新型的一方面,提供一种包括显示面板的显示装置,包括上述显示面板。
附图说明
图1为根据本实用新型的一个实施例的完成缓冲层与有源层沉积结构示意图;
图2为根据本实用新型的一个实施例的完成缓冲层与有源层曝光显影后示意图;
图3为根据本实用新型的一个实施例的完成有源层刻蚀与剥膜后的剖面示意图;
图4为根据本实用新型的一个实施例的完成栅极绝缘层沉积结构示意图;
图5为根据本实用新型的一个实施例的完成栅极金属层沉积结构剖面示意图;
图6为根据本实用新型的一个实施例的完成栅极金属层曝光显影后示意图;
图7为根据本实用新型的一个实施例的完成栅极金属层刻蚀与剥膜后的剖面示意图;
图8为根据本实用新型的一个实施例的完成内部介质层沉积结构剖面示意图;
图9为根据本实用新型的一个实施例的完成内部介质层曝光显影后示意图;
图10为根据本实用新型的一个实施例的完成内部介质层刻蚀与剥膜后的示意图;
图11为根据本实用新型的一个实施例的完成源极和漏极金属层沉积结后的示意图;
图12为根据本实用新型的一个实施例的完成源极和漏极金属层曝光显影后示意图;
图13为根据本实用新型的一个实施例的完成源极和漏极金属层刻蚀与剥膜后的示意图;
图14为根据本实用新型的一个实施例的完成平坦层沉积后的示意图;
图15a、15b分别为根据本实用新型的一个实施例的用于平坦层曝光和完成平坦层曝光显影后的示意图;
图16为根据本实用新型的一个实施例的完成像素电极层沉积结后的示意图;
图17为根据本实用新型的一个实施例的完成像素电极层曝光显影后示意图;
图18为根据本实用新型的一个实施例的完成像素电极层刻蚀与剥膜后的示意图;
图19为根据本实用新型的一个实施例的完成所有工艺后测试组件单元的图案的俯视图;
图20为根据本实用新型的一个实施例的完成所有工艺后测试组件单元的图案的俯视图。
具体实施方式
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