[实用新型]一种BGA植球装置有效
申请号: | 201520817778.1 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN205050809U | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 谭涌泉 | 申请(专利权)人: | 无锡安诺信通信技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 高之波;邬玥 |
地址: | 214000 江苏省无锡市无锡国家高新技术*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bga 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及电子封装领域,尤其涉及一种BGA植球装置。
背景技术
球栅阵列封装(BGA)无论是在BGA器件的生产过程中还还是在对损坏的BGA器件进行翻修的过程中都需要涉及将直径非常小的锡球植入到芯片背面的I/O引脚上。目前,在BGA器件返修过程中,通常采用网板将锡球与I/O引脚相接触,并通过高温将锡球融化从而将锡球固定在I/O引脚上。在此过程中需要工人将锡球均匀的撒在网板的筛孔上,对于没有填防锡球的筛孔就需要工人使用镊子,将锡球放置入筛孔中。由于大规模集成电路的I/O引脚数量非常多,通常有上千个。通过镊子手动拾取并放置锡球就变得非常困难,而且锡球极易从镊子上滑落,从而导致手动拾取锡球的效率非常低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于公开一种BGA植球装置,提高拾取锡球的效率并提高植球效率。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种BGA植球装置,包括:
第一轴位移机构、第二轴位移机构、第三轴位移机构、负压发生机构以及BGA锡球拾取探针;
所述第三轴位移机构与第二轴位移机构的滑块固定连接,并通过第三轴位移机构驱动所述BGA锡球拾取探针垂直上下移动;
所述BGA锡球拾取探针通过软管与负压发生机构连接。
在一些实施方式中,第一轴位移机构包括相互平行设置的第一立板、第二立板及第三立板,以及导引杆、载物台、导引座、第一电机;
载物台嵌套在第二丝杆上并在第一电机的驱动下实现第一轴方向的线性运动;
所述第一立板与第三立板之间通过多个第一丝杆固定连接并相对保持固定,所述载物台与导引座固定连接,导引座嵌套在导引杆上用以引导载物台在第一轴方向上的位移;
所述第一电机驱动第二丝杆以整体地驱动所述第二轴位移机构在第一轴方向实现移动。
在一些实施方式中,第二轴位移机构设置于第二立板的顶部,所述第二轴位移机构包括第二电机、第三丝杆和嵌套在第三丝杆上的滑块;
所述第二立板顶部设有沿第二轴方向纵长延伸设置的凹槽,所述滑块设有一舌部,所述舌部嵌设在凹槽中并被凹槽所引导,所述第二电机与第二立板固定连接;
所述第二电机驱动第三丝杆并带动滑块在凹槽的导引下整体地驱动第三轴位移机构在第二轴方向上实现位移。
在一些实施方式中,第三轴位移机构包括电动活塞、垂直电机,所述第三轴位移机构整体地驱动所述BGA锡球拾取探针在第三轴方向上实现位移。
在一些实施方式中,导引杆固定连接第一立板与第三立板。
在一些实施方式中,负压发生机构包括第三电机、所述电机的输出轴依次嵌套有支架与飞轮,所述飞轮上偏心设置第一杆部,所述支架连接螺接固定的上阀体与下阀体,所述上阀体形成有气缸,所述第一杆部垂直连接第二杆部,所述第二杆部连接活塞,所述下阀体形成有圆筒部及下腔体,所述上阀体形成有上腔体,所述上腔体中设有刚性的密封片,所述密封片形成有第一通孔与第二孔通孔,所述密封片偏心设置有一个弹性膜片,所述弹性膜片随着活塞在气缸中的往复运动而导通或者闭合第一通孔与气缸内部所形成的活塞腔之间的空气流通通道;所述下阀体的侧部形成连接气嘴,所述下阀体的侧部形成连接气嘴。
在一些实施方式中,BGA锡球拾取探针包括本体,设置于本体侧部的气管,设置于本体底部的探针座,所述探针座上套接直径逐渐缩小的多个探针段,所述多个探针段形成一个连续的吸取通道,所述多个探针段之间卡接固定,所述本体内部具有连通气管与探针座的腔体,所述吸取通道与腔体连通;所述气管与连接气嘴通过软管连接。
在一些实施方式中,腔体为包括水平设置的第一管段、垂直设置的第二管段、P弯管段、水平设置的第三管段、垂直设置的第四管段;其中,所述第一管段与气管贯通,所述第四管段与探针座贯通。
在一些实施方式中,气管延伸入本体内部并与本体螺接固定,所述气管与第一管段之间设有过滤网。
在一些实施方式中,本体底部设有用于打开P弯管段的门。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:在本实用新型中,通过第一轴位移机构、第二轴位移机构及第三轴位移机构,可带动BGA锡球拾取探针实现XYZ轴的三轴移动,并通过负压发生机构所形成的负压拾取锡球并放置在网板的筛孔上或者直接将锡球放置在BGA器件的I/O引脚上,从而显著地提高了拾取锡球的效率并提高了植球效率。
附图说明
图1为本实用新型一种BGA植球装置的结构示意图;
图2为负压发生机构的立体图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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