[实用新型]一种应用于半导体扩散片生产的微粒废水处理系统有效
申请号: | 201520820037.9 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN205151995U | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 徐海涛 | 申请(专利权)人: | 青岛金汇源电子有限公司 |
主分类号: | C02F9/14 | 分类号: | C02F9/14;C02F11/12 |
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地址: | 266400 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 半导体 扩散 生产 微粒 废水处理 系统 | ||
技术领域
本实用新型属于半导体领域,具体涉及一种应用于半导体扩散片生产的微 粒废水处理系统。
背景技术
半导体工业是一个十分依赖水资源的行业,也是高耗水的行业,尤其在水 资源有限的情形下,限水、缺水对半导体生产企业的营运产生巨大压力。因此, 对半导体生产企业节约用水的研究与实践,有助于提升用水效益,降低用水成 本。目前,节约用水、中水回用、废水的回收利用已成为半导体业者应对缺水 危机的重要措施,特别是废水的回收利用,既能减少对水资源的需求,又能降 低生产成本,同时也减少对环境的污染。
在半导体扩散片生产过程中,通常是直接采购硅片进行加工生产,由于采 购来的硅片自身会带有很多硅粉微粒,也会由于氧化带来其他氧化物微粒,因 此,在加工之前需要先对硅片进行清洗,去除硅片表面的微粒。目前,在对微 粒废水的处理中,很难处理达标,对水环境污染较大。
实用新型内容
根据以上现有技术的不足,本实用新型提供一种应用于半导体扩散片生产 的微粒废水处理系统,能够对半导体扩散片生产过程中的微粒废水进行分类处 理,并且能够达到循环使用的要求。
本实用新型所述的一种应用于半导体扩散片生产的微粒废水处理系统,其 特征在于:包括依次连接的集水池、PH调节池和助凝沉淀池,其中,助凝沉淀 池中的上层清液依次抽至催化氧化池、水解酸化池、接触氧化池和回用收集池, 助凝沉淀池底部污泥依次抽至污泥浓缩池和污泥压滤机。
本实用新型中,助凝沉淀池中加入水处理药剂,药剂为聚丙烯酰胺,阳离 子型,分子量800万,投加量15-20ppm,将泥水进行分离,分离后的上清液进 入后续的催化氧化池内。催化氧化池内进行生化处理,这里采用臭氧-双氧水联 合催化氧化技术,臭氧投加量为20mg/L,双氧水投加量为3-5mg/L,催化氧化 提高了废水生化性。催化氧化后进入水解酸化池,废水在水解池通过水解酸化 作用,大分子的有机物被水解成易于被后续好氧菌所降解的小分子有机物,从 而使污水的可生化性和生化去除效果大幅度提高,使得好氧段有较高的COD去 除率。水解酸化池内需要投加氮、磷等营养,氮以尿素形式,磷以磷酸氢二钠、 磷酸二氢钠等形式,BOD:N:P=300~400:5:1。水解酸化池出水子流入接触氧化池 内,利用好氧微生物的作用,降解污染物。接触氧化采用泥膜混合,提高生物 量,丰富生物组,处理效果稳定,出水稳定达标。接触氧化采用泥膜混合,提 高生物量,丰富生物组,处理效果稳定,出水稳定达标。接触氧化池设置弹性 立体填料,体积比占60~70%,接触氧化池内设置曝气装置,气水比20:1,接触 氧化池控制溶解氧2.0~4.0mg/L。
其中,优选方案如下:
接触氧化池和回用收集池之间还设置有加药沉淀池。所述加药沉淀池中加 药沉淀,彻底去除废水中的悬浮污染物、胶体污染以及生物碎片等。加药物为 混凝剂、助凝剂、酸和碱,调整pH值为7~8,该混凝剂为聚合氯化铝,投加量 为100~150ppm,助凝剂为聚丙烯酰胺,阳离子型,分子量800万,投加量为 5~10ppm。
PH调节池、催化氧化池、水解酸化池和接触氧化池设有搅拌装置。搅拌装 置可以加快反应的进行。
助凝沉淀池及回用收集池设有用于监测废水水质的监控系统。
在本实用新型中,废水经过处理后集中到助凝沉淀池中,其中上清液进过 进一步过滤处理收集至回用收集池,可以重新作为循环水使用,助凝沉淀池底 部污泥经过处理后得到泥饼,可以回收处理,以此达到废水分类处理,循环水 指标更高。
本实用新型所具有的有益效果是:(1)回收水质完全达到和优于国家关于 《城市污水再生利用工业用水水质》(GB/T19923-2005)、《城市污水再生利用城 市杂用水水质》(GB/T18920-2002)标准,达到0.1MΩ·cm以上,可直接回用作生 产洗涤用水、厂区绿化、消防补充用水等;(2)整个处理过程流程短、占地小、 能耗低,易于实现自动化控制,系统运行可靠,运行费用较低,真正实现污水、 废水资源化,增加可利用的水资源,有利于实现废水无害化,防治水污染。
附图说明
图1为本实用新型的系统原理图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步描述。
实施例1:
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