[实用新型]一种半导体热水器有效

专利信息
申请号: 201520825075.3 申请日: 2015-10-24
公开(公告)号: CN205119435U 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 唐玉敏;虞红伟;余金金;马旦;黄洁 申请(专利权)人: 唐玉敏;虞红伟
主分类号: F24H1/10 分类号: F24H1/10;F24H9/18
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 315400 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 热水器
【说明书】:

技术领域

发明涉及热水器技术领域,尤其涉及一种半导体热水器。

背景技术

目前半导体热水器采用将多个半导体加热板叠加的方式,以获得更高的温度差,达到更好的制热效果。结构复杂,能耗较高,制热效果仍然有限。

发明内容

本发明针对现有技术的问题提供一种半导体热水器,包括用于对水进行加热的加热腔,所述加热腔包括半导体加热板、进水口、出水口、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口和所述出水口的加热管道道,所述半导体加热板与所述加热管道导热连接;其特征在于:所述半导体加热板的N型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体加热板的P型半导体设置石墨烯层,或者所述半导体加热板的N型半导体和P型半导体均设置石墨烯层。石墨烯具有极高的导热率极高的电子迁移率和导电率,能够促使所述P型半导体和所述N型半导体以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极;同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体加热板内的热量转移速度和能力。使得所述半导体加热板的热端持续产生热量对加热管道内的水进行加热。石墨烯层提高了半导体加热板的制热效果,只需要以及半导体加热板便可以对所述加热管道内的水进行加热,节约能耗。

作为优选,所述所述P型半导体设置石墨烯层;所述N型半导体具有石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨烯层的石墨烯纯度的石墨烯层。提高所述半导体发板的热冷端温度差至150℃,在通电3S后所述冷端的温度可达至-50℃,所述热端的温度可达100℃。即使是即时加热型热水器,也可以达到较高的加热温度。

作为优选,所述加热腔和所述加热管道通过导热件导热连接。将所述加热腔内的热量传递给所述加热管道,对所述加热管道内的液体进行加热。

作为优选,所述导热件为石墨烯导热件。所述石墨烯具有超高的导热率,提高加热腔和加热管道的热传递速率,这点对于即时加热式的热水器尤为重要。

作为优选,所述加热腔外表面设置保温隔热层。防止所述加热腔内的热量流失。

作为优选,所述电源设置用于调节电流大小的电流调节单元。通过调节电流的大小使得加热温度可调整。

本发明还提供一种半导体热水器,包括用于对水进行加热的加热腔,所述加热腔包括半导体加热板、进水口、出水口、设置在所述加热腔内并且连通所述进水口和所述出水口的加热管道道,所述半导体加热板与所述加热管道导热连接;其特征在于:所述半导体加热板的N型半导体添加石墨烯颗粒,或者所述半导体加热板的P型半导体添加石墨烯颗粒,或者所述半导体加热板的N型半导体和P型半导体均添加石墨烯颗粒。石墨烯具有极高的导热率极高的电子迁移率和导电率,能够促使所述P型半导体和所述N型半导体以更小的能耗更快地形成稳定的P极或者N极;同时,石墨烯极高的导热性能可以提高所述半导体加热板内的热量转移速度和能力。使得所述半导体加热片的所述冷端持续产生冷量,所述半导体加热板的热端持续产生热量对加热管道内的水进行加热。石墨烯层提高了半导体加热板的制热效果,只需要以及半导体加热板便可以对所述加热管道内的水进行加热,节约能耗。

作为优选,所述N型半导体添加石墨烯颗粒,所述P型半导体添加石墨烯颗粒,并且所述N型半导体的石墨烯颗粒的石墨烯纯度高于所述P型半导体的石墨颗粒的石墨烯纯度。提高所述半导体发板的热冷端温度差至150℃,所述热端的温度可达100℃。即使是即时加热型热水器,也可以达到较高的加热温度。

作为优选,所述加热腔和所述加热管道通过导热件导热连接。将所述加热腔内的热量传递给所述加热管道,对所述加热管道内的液体进行加热。

作为优选,所述导热件为石墨烯导热件。所述石墨烯具有超高的导热率,提高加热腔和加热管道的热传递速率,这点对于即时加热式的热水器尤为重要。

作为优选,所述加热腔外表面设置保温隔热层。防止所述加热腔内的热量流失。

作为优选,所述电源设置用于调节电流大小的电流调节单元。通过调节电流的大小使得加热温度可调整。

本发明具有如下有益效果:

1.提高了半导体加热板的热冷端温度差,从而提高了热水器的制热能力。

2.提高了半导体加热板的制热速度,从而提高了热水器在更短的时间内将水加热到指定温度的能力,是的热水器可以用于流道的水的即时加热。

3.仅采用一级半导体加热板即可实现甚至大于原来多级半导体加热板才能达到的制热效果,简化了半导体加热装置的结构,节省了能耗。

附图说明

图1半导体热水器结构示意图;

图2实施例一半导体加热板结构示意;

图3实施例一半导体加热板结构示意;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于唐玉敏;虞红伟,未经唐玉敏;虞红伟许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520825075.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top