[实用新型]包含掺杂缓冲层和沟道层的半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于包括：

衬底；

在衬底上面的高电压阻挡层；

在高电压层上面的掺杂缓冲层；和

在掺杂缓冲层上面并且具有至少650nm的厚度的沟道层，

其中，

掺杂缓冲层和沟道层包含相同的化合物半导体材料，以及，

掺杂缓冲层具有在第一载流子杂质浓度的载流子杂质类型，沟道缓冲层具有在小于第一载流子杂质浓度的第二载流子杂质浓度的载流子杂质类型。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，

高电压阻挡层包含1000nm厚的近侧区域，

与高电压阻挡层的任何其它区域相比，掺杂缓冲层更接近所述近侧区域，以及，

所述近侧区域具有小于5×10¹⁵原子/cm³的Fe杂质浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包括源电极、漏电极和栅电极，其中，晶体管包含沟道层、源电极、漏电极和栅电极。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，晶体管是高电压、高电子迁移率晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相同的化合物半导体材料是III-V半导体材料。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，相同的化合物半导体材料是GaN。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包括在沟道层上面的势垒层，和在势垒层上面的氮化硅层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构，其特征在于，载流子杂质是C，并且，第一载流子杂质浓度为至少1×10¹⁹原子/cm³。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，第二载流子杂质浓度为至多5×10¹⁶原子/cm³。

10.一种半导体结构，其特征在于包括：

衬底；

在衬底上面的高电压阻挡层；

在高电压层上面的掺杂缓冲层；和

在掺杂缓冲层上面的沟道层，

其中，

掺杂缓冲层和沟道层中的每一个为GaN层，

掺杂缓冲层具有在至少1×10¹⁹原子/cm³的第一载流子杂质浓度的载流子杂质类型，沟道缓冲层具有在至多5×10¹⁶原子/cm³的第二载流子杂质浓度的载流子杂质类型，以及，

高电压阻挡层、掺杂缓冲层和沟道层中的每一个具有小于5×10¹⁵原子/cm³的Fe杂质浓度。