[实用新型]一种识别芯片有效
申请号: | 201520864286.8 | 申请日: | 2015-11-02 |
公开(公告)号: | CN205194732U | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 杨杰;常文斌;林宇杰 | 申请(专利权)人: | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201108 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 识别 芯片 | ||
1.一种识别芯片,其特征在于,所述识别芯片包含:
生长衬底;
发光外延层,形成于所述衬底上表面;
透明导电层,形成于所述发光外延层上表面;
反射镜层,形成于所述透明导电层上表面;
阻挡层,形成于所述反射镜层上表面,所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域;
N电极扩散层,形成于所述阻挡层上表面,所述N电极扩散层具有N孔区域;
钝化层,形成于所述阻挡层上表面,所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域,所述第一预留区域对应P电极区域;
电极层,形成于所述钝化层上表面;
其中,所述第一预留区域、第二预留区域包含标识信息。
2.根据权利要求1所述的一种识别芯片,其特征在于:所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。
3.根据权利要求1所述的一种识别芯片,其特征在于:所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。
4.根据权利要求1至3任一所述的一种识别芯片,其特征在于:所述电极层包含P型电极和N型电极,形成于所述钝化层上表面,所述第一预留区域设置于P电极区域,所述第二预留区域设置于N电极区域,用于区别电极;所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层,所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。
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