[实用新型]一种识别芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片，特别是一种识别芯片。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，LED)的生产、检测流程中使用的自动化机，具体包括粘晶机(DieBonder)、邦定机(WireBonder)及芯片检测机(ChipProber)等均需要图形识别(PatternRecognition)功能，以判别芯片的正确位置并引导机台动作。

LED芯片上的结构以金属电极最为明显易判读，因此在执行影像识别时一向以金属电极的图形为依据。芯片表面粗化(SurfaceRoughen)及图案基板(PatternedSapphireSubstrate)等提高芯片亮度新技术的采用往往造成CCD影像灰阶的变化导致金属电极不易区分。而且LED芯片的典型尺寸在0.22mm～0.35mm之间，LED芯片的电极结构更小，要进一步快速区分N型和P型电极的难度更大，因此需要一个更好的方案识别LED芯片，区分芯片P、N电极，并且适用于多种芯片。

而且虽然芯片的厂家各有不同，但芯片尺寸规格基本一样，往往需要检测芯片的各项电参、光参或者观测内部电路来区分品牌，鉴别起来比较麻烦。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种识别芯片及其制作方法，用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种识别芯片制作方法，包括以下步骤：

1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀形成N孔区域和P孔区域；

2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；

3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；

其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含特定的标识信息。

优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。

优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。

优选地，在步骤3)之后，还包括下列步骤：在所述钝化层上形成N型电极和P型电极，所述第一预留区域设置于所述P电极区域，所述第二预留区域设置于所述N电极区域，用于区别电极。

优选地，所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。

优选地，步骤3)包括步骤：3-1)于所述钝化层表面涂覆光刻胶；3-2)对所述光刻胶进行图形化处理；3-3)依据图形化的光刻胶对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区域。

优选地，所述外延结构的制作方法包括以下步骤：1-1)提供一生长衬底，在所述衬底上形成发光外延层；1-2)于所述发光外延层上形成透明导电层，然后刻蚀出切割道区域和N孔区域；1-3)于所述透明导电层上制作反射镜层。

优选地，步骤1-2)中，所述N孔区域的深度为直至所述发光外延层的N型层。

本实用新型还提供了一种识别芯片，自下而上依次包含：生长衬底；发光外延层，形成于所述衬底上表面；透明导电层，形成于所述发光外延层上表面；反射镜层，形成于所述透明导电层上表面；阻挡层，形成于所述外延结构上表面，所述阻挡层包含N孔区域和位于P孔区域；N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层包含N孔区域；钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层包含第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域；电极层，形成于所述钝化层上表面。其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。

优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μm。

优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。

优选地，所述电极层包含P型电极和N型电极，形成于所述钝化层上表面，所述第一预留区域设置于P电极区域，所述第二预留区域设置于N电极区域，用于区别电极。所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述N电极扩散层。

如上所述，本实用新型的一种识别芯片及其制作方法，包含以下有益效果：