[实用新型]一种可任意低压输出的基准源有效

专利信息
申请号: 201520869750.2 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN205302069U 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 吴国平;刘桂芝;周尧;蒋小强 申请(专利权)人: 无锡麟力科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 黄冠华
地址: 214000 江苏省无锡市锡山*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 任意 低压 输出 基准
【权利要求书】:

1.一种可任意低压输出的基准源,其特征在于,包括PMOS管M1、PMOS管 M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6;其中,所述PMOS管M1、 PMOS管M2、PMOS管M5和PMOS管M6的源极连接到启动电路的正极端,所述NMOS 管M3和NMOS管M4的源极连接到启动电路的负极端;所述PMOS管M1、PMOS管 M2、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极彼此相互连接;所述NMOS管M3的漏极与所 述PMOS管M1的漏极连接;所述PMOS管M2的漏极通过电阻R1连接到所述NMOS 管M4的漏极;所述NMOS管M3的栅极与所述NMOS管M4的漏极连接;所述NMOS 管M4的栅极与所述NMOS管M3的漏极连接;还包括PNP型三极管Q1,其基极和 集电极均连接到启动电路的负极端,其发射极与PMOS管M5的漏极连接;所述 PMOS管M6的漏极通过电阻Ry连接到启动电路的负极端;所述PMOS管M5的漏极 与所述PMOS管M6的漏极之间设置有电阻Rx

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