[实用新型]一种可任意低压输出的基准源有效
申请号: | 201520869750.2 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN205302069U | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 吴国平;刘桂芝;周尧;蒋小强 | 申请(专利权)人: | 无锡麟力科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 黄冠华 |
地址: | 214000 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 任意 低压 输出 基准 | ||
1.一种可任意低压输出的基准源,其特征在于,包括PMOS管M1、PMOS管 M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6;其中,所述PMOS管M1、 PMOS管M2、PMOS管M5和PMOS管M6的源极连接到启动电路的正极端,所述NMOS 管M3和NMOS管M4的源极连接到启动电路的负极端;所述PMOS管M1、PMOS管 M2、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极彼此相互连接;所述NMOS管M3的漏极与所 述PMOS管M1的漏极连接;所述PMOS管M2的漏极通过电阻R1连接到所述NMOS 管M4的漏极;所述NMOS管M3的栅极与所述NMOS管M4的漏极连接;所述NMOS 管M4的栅极与所述NMOS管M3的漏极连接;还包括PNP型三极管Q1,其基极和 集电极均连接到启动电路的负极端,其发射极与PMOS管M5的漏极连接;所述 PMOS管M6的漏极通过电阻Ry连接到启动电路的负极端;所述PMOS管M5的漏极 与所述PMOS管M6的漏极之间设置有电阻Rx。
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