[实用新型]一种可任意低压输出的基准源

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种可任意低压输出的基准源。

背景技术

现有的基准源设计包括电压模基准源和电流模基准源，通常电压模基准源的 输出电压都在1.2V左右，最小工作电压在1.5V以上，典型的BANDGAP结构需要 的工作电流较多，通常都是要2uA以上的电流，如果需要采用更小的工作电流实 现，通常都是考虑亚阈区基准源来实现。而亚阈区电压模基准的工作电流较小， 输出一般为1.2V，因此最小工作电压较高。这些方案都无法同时满足工作电压 低、工作电流小、输出任意低电压基准的要求。

实用新型内容

本实用新型目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种可任意低压输出的基 准源，该基准源是在亚阈区电压模基础上进行改进设计的一种亚阈区电流模基 准，它能同时满足低压，低输出和低工作电流的要求，在低电压工作和要求待机 功耗要求很苛刻的产品中会非常合适。

本实用新型为实现上述目的，采用如下技术方案：一种可任意低压输出的基 准源，包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5和PMOS 管M6；其中，所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5和PMOS管M6的源极连 接到启动电路的正极端，所述NMOS管M3和NMOS管M4的源极连接到启动电路的 负极端；所述PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极彼此相互 连接；所述NMOS管M3的漏极与所述PMOS管M1的漏极连接；所述PMOS管M2 的漏极通过电阻R₁连接到所述NMOS管M4的漏极；所述NMOS管M3的栅极与所 述NMOS管M4的漏极连接；所述NMOS管M4的栅极与所述NMOS管M3的漏极连接； 还包括PNP型三极管Q1，其基极和集电极均连接到启动电路的负极端，其发射 极与PMOS管M5的漏极连接；所述PMOS管M6的漏极通过电阻R_y连接到启动电 路的负极端；所述PMOS管M5的漏极与所述PMOS管M6的漏极之间设置有电阻 R_x。

本实用新型的有益效果：本实用新型电路的最小工作电压可以得到0.8V， 满足单节干电池的应用场合；且该电路功耗特别低，在目前的可穿戴产品场合， 可以有效节能，延长产品使用寿命。另外，该电路基准电压可以根据需要简易调 节，只需要调整电阻R_x与电阻R_y之间的关系，就能得到需要的任意低电压基准 温度特性不发生改变，保持了电压模温度特性。

附图说明

图1本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

图1所示，涉及一种可任意低压输出的基准源，包括PMOS管M1、PMOS管 M2、NMOS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6；其中，所述PMOS管M1、 PMOS管M2、PMOS管M5和PMOS管M6的源极连接到启动电路的正极端，所述NMOS 管M3和NMOS管M4的源极连接到启动电路的负极端；所述PMOS管M1、PMOS管 M2、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极彼此相互连接；所述NMOS管M3的漏极与所 述PMOS管M1的漏极连接；所述PMOS管M2的漏极通过电阻R₁连接到所述NMOS 管M4的漏极；所述NMOS管M3的栅极与所述NMOS管M4的漏极连接；所述NMOS 管M4的栅极与所述NMOS管M3的漏极连接；还包括PNP型三极管Q1，其基极和 集电极均连接到启动电路的负极端，其发射极与PMOS管M5的漏极连接；所述 PMOS管M6的漏极通过电阻R_y连接到启动电路的负极端；所述PMOS管M5的漏极 与所述PMOS管M6的漏极之间设置有电阻R_x。

该电路的工作原理：M1-M4及电阻R₁组成了偏置电路，产生的偏置电流为：

I＝nV_tlnm/R₁；---------------------------------------------(1)

其中，m为M3:M4的物理尺寸比，该电流具有正的温度系数。