[实用新型]一种超高亮度白光LED芯片有效
申请号: | 201520915794.4 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN205177878U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 方文发;杨全松;广旭 | 申请(专利权)人: | 安徽科发信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237200 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 亮度 白光 led 芯片 | ||
1.一种超高亮度白光LED芯片,其特征在于,包括LED发光本 体、衬底和表面荧光体层,所述LED发光本体包括从上至下依次层叠 设置的第二电极、N型层、发光层、P型层和第一电极,所述衬底设 于LED发光本体下部,所述表面荧光体层设于LED发光本体上部,所 述LED发光本体和衬底之间还设有金属反射层,所述衬底下部设有导 电层。
2.根据权利要求1所述的一种超高亮度白光LED芯片,其特征 在于:所述发光层为激发紫外光的多量子阱有源层。
3.根据权利要求1所述的一种超高亮度白光LED芯片,其特征 在于:所述衬底由蓝宝石制成,所述N型层和P形层为氮化物半导体 材料。
4.根据权利要求1所述的一种超高亮度白光LED芯片,其特征 在于:所述表面荧光体层在所述第二电极处具有开口。
5.根据权利要求1所述的一种超高亮度白光LED芯片,其特征 在于:所述第二电极的侧面的还设有侧面荧光体层,所述表面荧光体 层和侧面荧光体层的厚度为10μm-80μm。
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