[实用新型]一种超高亮度白光LED芯片有效
申请号: | 201520915794.4 | 申请日: | 2015-11-16 |
公开(公告)号: | CN205177878U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 方文发;杨全松;广旭 | 申请(专利权)人: | 安徽科发信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 237200 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 亮度 白光 led 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED产品领域,具体涉及一种超高亮度白光LED 芯片。
背景技术
在现有技术中,采用在具有激发紫外光的发光元件上涂覆硅胶与 荧光粉的混合体获得白光,采用此方法实现白光LED,由于荧光粉的 沉降速度不一致使得荧光层的浓度不均匀,导致光线通过荧光层时, 颜色和亮度会出现很大的偏差,整体亮度也会受到很大影响,且容易 出现光斑。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种超高亮度白光LED芯片,以解决 现有技术中导致的上述多项缺陷。
一种超高亮度白光LED芯片,包括LED发光本体、衬底和表面荧 光体层,所述LED发光本体包括从上至下依次层叠设置的第二电极、 N型层、发光层、P型层和第一电极,所述衬底设于LED发光本体下 部,所述表面荧光体层设于LED发光本体上部,所述LED发光本体和 衬底之间还设有金属反射层,所述衬底下部设有导电层。
优选的,所述发光层为激发紫外光的多量子阱有源层。
优选的,所述衬底由蓝宝石制成,所述N型层和P形层为氮化物 半导体材料。
优选的,所述表面荧光体层在所述第二电极处具有开口。
优选的,所述第二电极的侧面的还设有侧面荧光体层,所述表面 荧光体层和侧面荧光体层的厚度均为10μm-80μm。
本实用新型的有益效果:该种超高亮度白光LED芯片,通过该种 结构设计,在发光本体上形成表面荧光体层,所述表面荧光体层为固 体状材质,代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体,覆盖于所述发光 元件上,使荧光粉的浓度均匀,颜色均匀性好,进而提高同批次产品 的色温的均匀性,形成色温一致的白光LED芯片,同时表面荧光体 层直接设置发光元件上,使得在芯片级发出白光,大大提高了白光的 生产效率,同样使得LED的亮度大幅度增加,所述发光层为激发紫外 光的多量子阱有源层,通过发光层激发紫外光,经过N型层和P型层, 透过表面荧光体层产生白光,所述衬底为材质较好的蓝宝石,所述N 型层和P形层为氮化物半导体材料,所选材料可以很好地处理由发光 层产生的紫外光,提高产生白光的浓度和颜色的均匀性,所述表面荧 光体层在所述第二电极上具有开口,这种结构可以方便设置于表面荧 光体层下部的第二电极的电性引出,有利于后期操作,所述第二电极 的侧面的还设有侧面荧光体层,所述表面荧光体层和侧面荧光体层的 厚度为10μm-80μm,发光层在侧面发光时,为了防止光线溢出形成 光斑,同样需要在侧面设置荧光层,整个LED芯片的表面荧光体层也 需要保证厚度。
附图说明
图1为本实用新型所述的一种超高亮度白光LED芯片的结构示意 图。
图2为本实用新型所述的一种超高亮度白光LED芯片的LED发光 本体部分的结构示意图。
其中:1—第一电极,2—P型层,3—发光层,4—N型层,5—第 二电极,6—表面荧光体层,7—金属反射层,8—衬底,9—导电层, 10—侧面荧光体层。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易 于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本实用新型。
如图1和图2所示,一种超高亮度白光LED芯片,包括LED发光 本体、衬底8和表面荧光体层6,所述LED发光本体包括从上至下依 次层叠设置的第二电极5、N型层4、发光层3、P型层2和第一电极 1,所述衬底8设于LED发光本体下部,所述表面荧光体层6设于LED 发光本体上部,所述LED发光本体和衬底8之间还设有金属反射层7, 所述衬底下部设有导电层9。该种超高亮度白光LED芯片,通过该种 结构设计,在发光本体上形成表面荧光体层6,所述表面荧光体层6 为固体状材质,代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体,覆盖于所述 发光元件上,使荧光粉的浓度均匀,颜色均匀性好,进而提高同批次 产品的色温的均匀性,形成色温一致的白光LED芯片,同时表面荧 光体层6直接设置发光元件上,使得在芯片级发出白光,大大提高了 白光的生产效率,同样使得LED的亮度大幅度增加。
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