[实用新型]一种新型多晶硅片清洗机有效
| 申请号： | 201520925971.7 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205248239U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郭长明;王潇;赵海洋;张立;许春杰;谢保卫 | 申请（专利权）人： | 江苏润丽光能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 周蔚然 |
| 地址： | 221600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多晶 硅片 清洗 | ||
1.一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：包括清洗仓、沥水仓和干燥仓，所述清洗仓 内中间横向设置轨道一，所述轨道一两侧设置喷雾喷头，喷雾喷头之间设置超声波发射器， 所述沥水仓位于清洗仓右侧，沥水仓内设置轨道二，沥水仓内左侧上方设置干燥空气入口， 所述轨道二与轨道一宽度相同，轨道二与轨道一交界处设置PVC软帘，轨道二延伸至干燥仓 出口，轨道二在沥水仓及干燥仓内为上下弯折设置，所述干燥仓位于沥水仓右侧，干燥仓与 沥水仓尺寸相同，干燥仓左侧下方设置干燥空气入口二，干燥仓与沥水仓中间设置挡板，所 述挡板在轨道二通过处开有通道。
2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述喷雾喷头可设置 5~8组。
3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述轨道一为镂空。
4.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述清洗仓内喷雾喷 头温度为50℃~65℃。
5.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述干燥空气温度为 60℃~70℃。
6.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述轨道二在沥水仓 中的长度小于干燥仓。
7.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述轨道二上设置半 月形链片式网带。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
