[实用新型]亚带隙电压源电路

权利要求书

1.一种亚带隙电压源电路，其特征在于，其包括偏置电路、亚带隙电压产生电路和亚带隙电压输出端，

所述偏置电路用于产生并通过其输出端输出偏置电压；

所述亚带隙电压产生电路包括MOS管MP3、MP4、MN3、MN4和MN5，双极型晶体管Q2和Q3，以及电阻R2，

MOS管MP3的源极与电源端相连，其栅极与所述偏置电路的输出端相连，其漏极经电阻R2与双极型晶体管Q2的发射极相连；双极型晶体管Q2的栅极接地，其集电极与MOS管MN3的漏极相连；MOS管MN3的栅极与其漏极相连，其源极接地；双极型晶体管Q3的发射极与MOS管MP3和电阻R2之间的连接节点相连，其集电极与MOS管MN4的漏极相连；MOS管MN4的源极接地，其栅极与MOS管MN3的栅极相连；MOS管MP4的源极与所述电源端相连，其栅极与偏置电路的输出端相连，其漏极与MOS管MN5的漏极相连；MOS管MN5的源极接地，其栅极与MOS管MN4的漏极相连，MOS管MP4和MN5之间的连接节点与双极型晶体管Q3的基极相连，且该连接节点也与亚带隙电压输出端相连。

2.根据权利要求1所述的亚带隙电压源电路，其特征在于，

所述偏置电路包括MOS管MP1、MP2、MN1和MN2，双极型晶体管Q1和电阻R1，

其中，MOS管MP1的源极与电源端相连，其栅极与MOS管MP2的栅极相连，其漏极与MOS管MN1的漏极相连；MOS管MN1的栅极与其漏极相连，其源极经双极型晶体管Q1接地；双极型晶体管Q1的基极与其集电极相连；MOS管MP2的源极与电源端相连，其栅极与其源极相连，其源极与MOS管MN2的漏极相连；MOS管MN2的栅极与MOS管MN1的栅极相连，MOS管MN2的源极经电阻R1接地；MOS管MN1的衬体端接地，MOS管MN2的衬体端接地；MOS管MP1的栅极和MOS管MP2的栅极之间的连接节点为偏置电路的输出端，该连接节点上的电压为所述偏置电压。

3.根据权利要求2所述的亚带隙电压源电路，其特征在于，

MOS管MP1、MP2、MP3和MP4为PMOS晶体管；MOS管MN1、MN2、MN3、MN4和MN5为NMOS晶体管；双极型晶体管Q2和Q3为PNP型晶体管。

4.根据权利要求3所述的亚带隙电压源电路，其特征在于，

双极型晶体管Q1为PNP型晶体管，且双极型晶体管Q1的发射极与所述MOS管MN1的源极相连，其集电极接地；

或，双极型晶体管Q1为NPN型晶体管，且双极型晶体管Q1的集电极与所述MOS管MN1的源极相连，其发射极接地。