[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及使用树脂对壳体内进行密封且能够在高温区域进行工作的半导体装置。

背景技术

有的半导体装置使用了树脂壳体来代替使用模具的传递模塑。在这种半导体装置中，有的使用了SiC等化合物半导体作为半导体元件。与以往的Si半导体相比，SiC等化合物半导体能够在高温区域进行工作，被期待实现小型化和高效化。

在将半导体装置的端子连接到以金属基板为底座构成的模块时，端子的位置偏移成为问题。因此，作为对策，已知有如下技术：将端子固定在外周的壳体上，从而提高端子的位置精度(专利文献1)。

【专利文献1】：日本特开2013-171870号公报

然而，在上述的现有技术中，端子的位置精度虽然提高，但相对于施加给端子的负荷而言，仅靠密封树脂的话强度不足，存在如下问题：端子的接合部发生畸变，从而导致接合部的劣化。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型提供一种半导体装置，其能够防止由负荷导致的端子的接合劣化，具有高可靠性。

为了解决上述问题，本实用新型成为如下所示的结构。

本实用新型的半导体装置具有：半导体元件、一个主面上搭载有所述半导体元件的基板、与所述基板相连接的端子、以及配置于所述基板的一个主面并且被配置为包围所述半导体元件的壳体，该半导体装置的特征在于，所述壳体由第1壳体和第2壳体构成，所述第1壳体是外围体，所述第2壳体以夹着所述端子的方式，与所述端子和所述第1壳体相抵接。

本实用新型的半导体装置的特征在于，所述第1壳体在下表面和外壁上具有コ字形状的凹部。

在本实用新型中，利用第1壳体和第2壳体夹着端子，由此实现了能够提供一种防止由负荷导致的端子的接合劣化且具有高可靠性的半导体装置的效果。

附图说明

图1是本实用新型的实施例1的半导体装置100的俯视示意图。

图2是示出图1的A-A剖面处的半导体装置100的结构的剖面示意图。

图3是示出图1的B-B剖面处的半导体装置100的结构的剖面示意图。

标号说明

1：第1壳体；2：第2壳体；3：半导体元件；4：基板；5：导体层；6：端子；100：半导体装置。

具体实施方式

下面，参照附图对用于实施本实用新型的方式详细地进行说明。另外，在以下附图的记载中，对于相同或类似的部分，使用相同或类似的标号进行表示。但是，附图是示意性的，尺寸关系的比率等与实际不同。因此，具体的尺寸等应该参照以下说明进行判断。另外，当然附图相互之间也包括彼此的尺寸关系或比率不同的部分。

另外，以下所示的实施方式是用于使该实用新型的技术思想具体化的例子，该实用新型的实施方式并不将构成部件的材质、形状、结构、配置等限定为下述的内容。该实用新型的实施方式能够在不脱离主旨的范围内实施各种改变。

实施例

下面，参照附图对本实用新型的实施例的半导体装置100进行说明。图1是本实用新型的实施例的半导体装置100的俯视示意图。图2是示出图1的A-A剖面处的半导体装置100的结构的剖面示意图。另外，图3是示出图1的A-A剖面处的半导体装置100的结构的剖面示意图。

图1所示的半导体装置100具有：外侧壳体1、内侧壳体2、半导体元件3、基板4、导体层5以及端子6。

第1壳体配置于基板4的一个主面，俯视观察时，以包围半导体元件的方式设置。在本实施例中，第1壳体的外壁和第2壳体2的内壁相抵接。因此，第1壳体1作为保护半导体元件的封装(外围体)的一部分发挥作用。壳体例如优选为加工性好且熔点较高(280℃)、以聚苯硫醚(PPS)为代表的高性能工程塑料。

第2壳体配置于基板4的一个主面，俯视观察时，以包围半导体元件的方式设置。在本实施例中，在第1壳体的下表面和外壁上具有コ字形状的凹部。通过将端子固定于凹部来防止与负荷相应的变形。

第1壳体的外壁和第2壳体2的内壁相抵接，作为保护半导体元件的封装(外围体)的一部分发挥作用。第2壳体例如优选为加工性好且熔点较高(280℃)、以聚苯硫醚(PPS)为代表的高性能工程塑料。

半导体元件3通过粘结材料被载置并固定于基板4上的电极上。例如，半导体元件3是由Si半导体、SiC半导体等构成的电力用半导体元件。化合物半导体与Si半导体相比，能够在高温状态下进行工作，另外，开关速度较快，损耗低。