[实用新型]背凹超减薄晶圆的电性测试装置有效
| 申请号： | 201520931761.9 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205177790U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李磊 | 申请（专利权）人： | 苏州同冠微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 215617 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背凹超减薄晶圆 测试 装置 | ||
1.一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：包括测试台盘(1)、限位装置、水银筒(3)和液面计(2)；
所述测试台盘(1)上表面设置有真空槽(11)，所述真空槽(11)与真空源连通，利用真空槽(11)将晶圆(5)固定在所述测试台盘(1)上，所述晶圆(5)背面中心与测试台盘(1)之间形成间隙，所述测试台盘(1)上还设置有贯通所述测试台盘(1)的通孔(12)，所述的测试台盘(1)上表面设置有若干与所述通孔(12)连通的导流槽(14)；所述的限位装置设置在测试台盘(1)上表面，且位于所述真空槽(11)的外侧，所述的水银筒(3)通过管道与所述通孔(12)连通；所述的液面计(2)与所述间隙连通，所述的液面计(2)通过管道与所述水银筒(3)连通，所述液面计(2)与所述水银筒(3)连通的管道上设置有阀门(21)。
2.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述的限位装置为圆弧形限位块(13)，所述限位块(13)的弧度与所述晶圆(5)相匹配。
3.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述测试台盘(1)上表面还设置有红色边界线(15)，所述的红色边界线(15)与晶圆(5)的平边相匹配。
4.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：还包括用于调节水银筒(3)高度的高度调节架(4)。
5.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述的导流槽(14)数量为8个，且以所述通孔(12)为中心呈米字型设置。
6.根据权利要求5所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述的导流槽(14)呈V字形，所述的导流槽(14)最大槽宽为2mm，所述导流槽(14)两侧壁夹角为120°，所述的导流槽(14)长度为50mm。
7.根据权利要求6所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述的导流槽(14)由靠近通孔(12)一端朝向远离通孔(12)一端深度逐渐变浅。
8.根据权利要求1所述的背凹超减薄晶圆的电性测试装置，其特征在于：所述的液面计(2)呈U型，且其一端高度低于另一端高度，所述的液面计(2)高度较低一端所述间隙连通，高度较高一端与大气连通。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
