[实用新型]背凹超减薄晶圆的电性测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆电性能测试技术领域，尤其涉及一种背凹超减薄 晶圆的电性检测装置。

背景技术

超薄芯片是指芯片厚度小于100μm的芯片，目前6英寸的设备只能做到 180um左右，其对于120um以下的芯片的破片率超过30％。而在280-350μm 厚度的6英寸预减薄晶圆背面中心，减薄出一个5英寸直径的圆，该圆的内部 晶圆达到60-90μm厚度，保留圆外的晶圆材料，支撑晶圆不变形，称其为背凹 超减薄晶圆。背凹超减薄片基本避免了各种原因造成的内部应力和脆性损伤， 以浪费近28％的晶圆面积和材料为代价，完全避免了减薄破片。

但由于圆片背面形貌变化，导致无法进行WAT(WaferAccpetanceTest)测试， 无法校正工艺制程。专利CN203733763U公开了一种背凹超减薄晶圆的出片电 性测试装置，其能有效对其电性能进行检测，但是检测过程中水银输送过程中， 由于水银的表面张力的作用容易导致水银输送不连续，从而造成检测失败。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在现有技术中背凹超减薄晶圆 检测过程中水银能够不连续的缺陷，提供一种背凹超减薄晶圆的电性测试 装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种背凹超减薄晶 圆的电性测试装置，包括测试台盘、限位装置、水银筒和液面计；

所述测试台盘上表面设置有真空槽，所述真空槽与真空源连通，利用 真空槽将晶圆固定在所述测试台盘上，所述晶圆背面中心与测试台盘之间 形成间隙，所述测试台盘上还设置有贯通所述测试台盘的通孔，所述的测 试台盘上表面设置有若干与所述通孔连通的导流槽；所述的限位装置设置 在测试台盘上表面，且位于所述真空槽的外侧，所述的水银筒通过管道与 所述通孔连通；所述的液面计与所述间隙连通，所述的液面计通过管道与 所述水银筒连通，所述液面计与所述水银筒连通的管道上设置有阀门。

作为优选，为有效定位晶圆，避免产生错位现象，所述的限位装置为 圆弧形限位块，所述限位块的弧度与所述晶圆相匹配。

作为优选，为作为晶圆定位的参照，避免产生错位现象，所述测试台 盘上表面还设置有红色边界线，所述的红色边界线与晶圆的平边相匹配。

作为优选，为便于调节水银筒的高度，还包括用于调节水银筒高度的 高度调节架。

作为优选，为有效使得水银筒内水银进入所述间隙，所述的导流槽数 量为8个，且以所述通孔为中心呈米字型设置。

作为优选，所述的导流槽呈V字形，所述的导流槽最大槽宽为2mm， 所述导流槽两侧壁夹角为120°，所述的导流槽长度为50mm。

作为优选，所述的导流槽由靠近通孔一端朝向远离通孔一端深度逐渐 变浅。

作为优选，为有效监测所述间隙内的水银面的高度，所述的液面计呈 U型，且其一端高度低于另一端高度，所述的液面计高度较低一端与所述 间隙连通，高度较高一端与大气连通。

有益效果：本实用新型能够有效减少水银表面张力对测试造成的影 响，提高了测试的成功率，能够有效取得WAT参数，可以指导制程改善，提 高背凹超减薄晶圆的合格率到96％～98％，提高合格率30％；避免了工艺波动造成 大量报废的发生。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型测试装置与晶圆配合局部剖视图；

图2是测试台盘俯视图；

图3是导流槽截面视图；

图4是测试台盘与晶圆配合的俯视图。

其中:1.测试台盘，11.真空槽，12.通孔，13.限位块，14.导流槽， 15.红色边界线，2.液面计，21.阀门，3.水银筒，4.高度调节架，5.晶圆。

具体实施方式

实施例

如图1～4所示，一种背凹超减薄晶圆的电性测试装置，包括测试台盘 1、限位装置、水银筒3、液面计2和用于调节水银筒3高度的高度调节 架4；