[实用新型]集成电路有效
| 申请号： | 201520951130.3 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN205140992U | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | S·德努尔梅;P·康德利耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路，其特征在于，包括具有位于埋设绝缘层(30) 上方的半导体薄膜(20n,p)的、绝缘体上硅类型的衬底(10)，包括 MOS电容器(C)的一次性可编程类型的至少一个存储器单元，所述 MOS电容器具有：包括至少部分地硅化(ZSE1)并且由绝缘横向区 域(CI1、CI2、CI4和CI5)侧接的栅极区域(G)的第一电极区域(E1)， 位于所述栅极区域(G)和所述半导体薄膜(20n和20p)之间的电介 质层(OX)，以及包括位于所述绝缘横向区域(CI1、CI2、CI4和 CI5)旁边并至少部分地在电介质层(OX)之下延伸的所述半导体薄 膜的硅化区域(ZSE2)的第二电极区域(E2)。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述半导体 薄膜的所述硅化区域(ZSE2)完全延伸在所述电介质层(OX)之下。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，进一步 包括，具有抬升源极和漏极区域(RSn或RSp)的至少一个MOS晶 体管(TN或TP)。
4.根据权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述衬 底(10)是完全耗尽绝缘体上硅类型。
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