[实用新型]集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：

半导体衬底层，所述半导体衬底层具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物，所述衬底层包括第一区和第二区；

在所述半导体衬底层中的阱区，所述阱区具有在高于所述第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的所述第一导电类型掺杂物，所述阱区位于所述第一区中但不位于所述第二区中；

在所述第一区处的所述阱区中的第一本体区，所述第一本体区具有第二导电类型掺杂物；

在所述第二区处的所述半导体衬底层中的第二本体区，所述第二本体区也具有所述第二导电类型掺杂物；

在所述第一本体区中的第一源极区，所述第一源极区从所述阱区横向地偏移了具有第一长度的第一沟道；

在所述第二本体区中的第二源极区，所述第二源极区从所述半导体衬底层的材料横向地偏移了第二沟道，所述第二沟道具有大于所述第一长度的第二长度；以及

在所述第一沟道和所述第二沟道两者之上延伸的栅极区。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中，所述第二长度超过所述第一长度达所述阱区的横向厚度。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：

漏极金属，所述漏极金属与所述半导体衬底层相接触；

源极金属，所述源极金属与所述第一源极区和所述第二源极区以及所述第一本体区和所述第二本体区相接触；以及

栅极金属，所述栅极金属与所述栅极区相接触。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中，所述半导体衬底层是外延层。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中，所述阱区、所述第一本体区和所述第二本体区以及所述源极区各自具有条带形状。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中，所述第一本体区和所述第一源极区与第一晶体管相关联，并且其中，所述第二本体区和所述第二源极区与第二晶体管相关联，并且其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的电学特性。

7.如权利要求6所述的集成电路，其特征在于，其中，不同的电学特性选自由以下各项组成的组：零温度系数、导通电阻、阈值电压和跨导。

8.一种集成电路，其特征在于，包括：

半导体衬底层，所述半导体衬底层具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物，所述衬底层包括第一区和第二区；

在所述第一区之内的第一晶体管，所述第一晶体管具有带有第一值的电学特性，所述第一晶体管包括：

与所述半导体衬底层相接触的阱区，所述阱区具有在高于所述第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的所述第一导电类型掺杂物；

在所述阱区之内并且与其相接触的第一本体区，所述第一本体区具有第二导电类型掺杂物；

在所述第一本体区之内并且与其相接触的第一源极区，所述第一源极区从所述阱区横向地偏移了具有第一长度的第一沟道；以及

在所述第一沟道之上延伸的第一栅极区；

在所述第二区之内的第二晶体管，所述第二晶体管具有带有第二值的所述电学特性，所述第二值与所述第一值不同，所述第二晶体管包括：

在所述半导体衬底层之内并且与其相接触的第二本体区，所述第二本体区具有所述第二导电类型掺杂物；

在所述第二本体区之内并且与其相接触的第二源极区，所述第二源极区从所述半导体衬底层的材料横向地偏移了第二沟道，所述第二沟道具有大于所述第一长度的第二长度；以及

在所述第二沟道之上延伸的第二栅极区。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，其中，所述第二长度超过所述第一长度达所述阱区的横向厚度。

10.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：

漏极金属，所述漏极金属与所述半导体衬底层相接触；

源极金属，所述源极金属与所述第一源极区和所述第二源极区以及所述第一本体区和所述第二本体区相接触；以及

栅极金属，所述栅极金属与所述栅极区相接触。

11.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，其中，所述半导体衬底层是外延层。

12.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，其中，所述阱区、所述第一本体区和所述第二本体区以及所述源极区各自都具有条带形状。

13.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，其中，所述电学特性选自由以下各项组成的组：零温度系数、导通电阻、阈值电压和跨导。