[实用新型]集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及金属氧化物半导体(MOS)类型场效应晶体管(FET)器件，并且具体地涉及提供由于不对称结构构型而具有不同电学特性的MOSFET。

背景技术

本领域技术人员认识到在单个集成电路衬底上提供MOSFET器件的需要，其中那些MOSFET器件呈现不同的电学特性(例如，零温度系数、导通电阻(Rdson)、阈值电压(Vth)、跨导(gfs)等)。这种需要可能例如在提供竖直MOSFET晶体管的上下文中出现。本领域已知的解决方案可以利用用于注入的掺杂浓度、栅极氧化物的不同厚度、本体区的不同形状、源极区的不同尺寸等以对设定不同的电学特性起作用。然而用于形成不同电学特性的MOSFET器件的现有技术的解决方案被理解为需要昂贵且复杂的制造工艺。在本领域中需要更便宜且更简单的制造工艺。

实用新型内容

在实施例中，一种集成电路包括：具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物的半导体衬底层，该衬底层包括第一区和第二区；在该半导体衬底层中的阱区，该阱区具有在高于该第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的该第一导电类型掺杂物，所述阱区位于该第一区中但不位于该第二区中；在该第一区处的该阱区中的第一本体区，该第一本体区具有第二导电类型掺杂物；在该第二区处的该半导体衬底层中的第二本体区；在该第一本体区中的第一源极区，该第一源极区从该阱区横向地偏移了具有第一长度的第一沟道；在该第二本体区中的第二源极区，该第二源极区从该半导体衬底层的材料横向地偏移了第二沟道，该第二沟道具有大于该第一长度的第二长度；以及在该第一沟道和该第二沟道之上均延伸的栅极区。

在实施例中，一种用于在具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物的半导体衬底层中制造晶体管的方法，该衬底层包括第一区和第二区，该方法包括：形成在该第一区和该第二区之上延伸的栅极区；在该半导体衬底层的该第一区中但不在该第二区中注入第一导电类型掺杂物以形成阱注入物；在该第一区中的该阱注入物中并且在该第二区中的该半导体衬底层中注入第二导电类型掺杂物以在该第一区中形成第一本体注入物并且在该第二区中形成第二本体注入物；进行退火以活化和扩散该第一导电类型掺杂物和该第二导电类型掺杂物，从而在该半导体衬底层中由具有高于该第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的该阱注入物来形成阱区、在该阱区中由该第一本体注入物来形成第一本体区并且在该半导体衬底层中由该第二本体注入物来形成第二本体区；将第一导电类型掺杂物注入在该阱区中以形成第一源极注入物并且注入在该第二本体区中以形成第二源极注入物；并且进行退火以活化和扩散该第一源极注入物和该第二源极注入物的该第一导电类型掺杂物，从而形成第一源极区和第二源极区。

在实施例中，一种集成电路包括：具有在第一掺杂浓度水平的第一导电类型掺杂物的半导体衬底层，该衬底层包括第一区和第二区；在该第一区之内的第一晶体管和在该第二区之内的第二晶体管，该第一晶体管具有带有第一值的电学特性，该第二晶体管带有具有与该第一值不同的第二值的所述电学特性。该第一晶体管包括：与该半导体衬底层相接触的阱区，该阱区具有在高于该第一掺杂浓度水平的第二掺杂浓度水平的该第一导电类型掺杂物；在该阱区之内并且与其相接触的第一本体区，该第一本体区具有第二导电类型掺杂物；在该第一本体区之内并且与其相接触的第一源极区，该第一源极区从该阱区横向地偏移了具有第一长度的第一沟道；以及在该第一沟道之上延伸的第一栅极区。该第二晶体管包括：在该半导体衬底层之内并且与其相接触的第二本体区，该第二本体区具有该第二导电类型掺杂物；在该第二本体区之内并且与其相接触的第二源极区，该第二源极区从该半导体衬底层的材料横向地偏移了第二沟道，该第二沟道具有大于该第一长度的第二长度；以及在该第二沟道之上延伸的第二栅极区。