[实用新型]用于供电线路中的过电压保护的装置有效

专利信息
申请号: 201520963596.5 申请日: 2015-11-26
公开(公告)号: CN205265251U 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: J·厄尔捷;G·鲍格里内;M·罗维瑞 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;董典红
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 供电 线路 中的 过电压 保护 装置
【权利要求书】:

1.一种用于供电线路中的过电压保护的装置,其特征在于,所述 装置包括:

分支,所述分支包括导通二极管以及与所述导通二极管串联耦合 的雪崩二极管;

开关,所述开关与所述分支并联耦合;以及

电路,跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述雪崩二极管具 有比所述导通二极管的击穿电压小至少十倍的击穿电压。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述导通二极管的 击穿电压处于20V和1500V之间。

4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述开关包括晶体 管和绝缘栅双极晶体管中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电路包括与所 述雪崩二极管并联耦合的第一电阻器;并且其中所述第一电阻器的第 一端耦合到所述分支的中点和所述开关的控制节点。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述电路包括被耦 合在所述第一电阻器的所述第一端与所述开关的所述控制节点之间 的第二电阻器。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述电路包括被耦 合在所述开关的所述控制节点与所述第一电阻器的第二端之间的电 容器。

8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述电路包括与所 述第二电阻器并联耦合的二极管。

9.一种用于供电线路中的过电压保护的装置,其特征在于,所述 装置包括:

导通二极管;

雪崩二极管,与所述导通二极管串联耦合;

开关,与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合;以及

电路,跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关。

10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述雪崩二极管 具有比所述导通二极管的击穿电压小至少十倍的击穿电压。

11.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述开关包括晶 体管和绝缘栅双极晶体管中的至少一个。

12.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述电路包括与 所述雪崩二极管并联耦合的第一电阻器;并且所述第一电阻器的第一 端耦合到在所述导通二极管和所述雪崩二极管之间的节点以及所述 开关的控制节点。

13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述电路包括被 耦合在所述第一电阻器的所述第一端与所述开关的所述控制节点之 间的第二电阻器。

14.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述电路包括被 耦合在所述开关的所述控制节点与所述第一电阻器的第二端之间的 电容器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520963596.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top