[实用新型]用于供电线路中的过电压保护的装置有效
申请号: | 201520963596.5 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN205265251U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | J·厄尔捷;G·鲍格里内;M·罗维瑞 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 供电 线路 中的 过电压 保护 装置 | ||
技术领域
本公开内容涉及一种用于过电压保护的装置,更具体地,涉及一 种用于供电线路中的过电压保护的装置。
背景技术
过电压保护部件是当横跨它的电压超过给定阈值时接通的部件, 给定阈值即击穿电压并且通常表示为VBR。第一类型的保护部件是雪 崩二极管类型,其具有图1所示的电流-电压特性。当横跨此部件的 电压超过击穿电压VBR时,部件变得导通。理想地,当电流增长时 横跨部件的电压保持等于VBR。实际上,如图1所示,当过电压被吸 收时,该特性不是垂直的,而且横跨部件的电压超过值VBR,即强值 电流I穿过该部件。
这种类型的部件的缺点在于,在过电压吸收阶段期间,横跨部件 的电压保持为大于或等于击穿电压VBR,即在此阶段期间,部件必须 吸收大于VBRxI的功率。这造成必须形成足够大尺寸的部件,一方 面是为了最小化其内电阻,从而最小化过电压移除阶段期间横跨那里 的电压,另一方面,它可以吸收与过电压有关的功率,而不被损坏。 当前,对于大于100伏特的电压VBR,例如,在300伏特的量级上, 这造成部件尺寸大于若干cm2,例如,在10cm2的量级上。然而这样 的部件是以二极管芯片的堆叠的形式制成的,例如,十四个基本部件 的堆叠,每一个基本部件都具有8.6x8.6mm2的表面面积,以达到 430V的击穿电压。这样的部件可能是昂贵且庞大的。
第二类型的保护部件是导通(breakover)类型,即肖特基二极管 类型,或无栅晶闸管类型。导通部件的电流-电压特性示于图2中。 当横跨部件的电压超过击穿电压VBR时,此电压快速地下降并且然 后遵循基本垂直的特性1。
此第二类型的部件的优点是,假设横跨部件的电压在过电流流动 期间是非常低的,与雪崩二极管类型的装置中耗散的功率相比,由部 件中的过电压耗散的功率是较低的。此第二类型的部件的缺点是,只 要存在横跨部件的显著电压,该部件就保持接通,保护部件仅在电压 横跨使得此部件中的电流变得比保持电流Ih更小的情况下返回至断 开。对于具有范围从50伏特到1,000伏特的击穿电压VBR的保护部 件,根据部件的击穿电压,此保持电流当前具有从100mA到1A的范 围的值。
因此,导通类型保护部件可以被保留用于电路,在电路中这些部 件旨在保护具有横跨零值的工作电压的线路,这特别地适用于数据传 输线。如图3所示,如果形成连接到供电装置输出的供电线路的线路 L1需要被保护,例如供电装置是连接到逆变器12的太阳能发电站10, 则导通保护部件不能正常地使用,因为在例如由于闪电击中线路L1 引起的过电压出现后,线路L1上的电势保持为正,而且保护部件保 持导通。
如图4A所示,在施加过电压之后,在电源10的输出处的电压 VDC被短路,而且短路电流Isc从其流过。电源在它的端子之间具有 保护二极管的通态电阻RD和内电阻Ri。然后横跨保护二极管存在电 压VD=VDC(RD/(Ri+RD))。
图4B示出了对应于这种特定情况的二极管的特性曲线的一部 分。在最实际的配置中,对应于短路电流Isc的电势VD远大于对应 于导通部件的保持电流Ih的电势Vh。例如,对于150mA保持电流 Ih,电压Vh可以在2V的量级上。因此,原则上,不可能使用导通部 件来保护直流(DC)供电线路。因而必须形成雪崩二极管类型的保 护装置,该保护装置应当具有相当大的表面面积并因而具有高成本。
图5示出了保护装置的例子。此装置在法国专利申请No.1352864 号(以及在相应的美国专利申请公开No.2014/0293493)中描述,其整 体通过引用并入本文。装置在两个端子A和B之间包含:导通类型 保护二极管D、开关SW以及用于控制开关SW的电路CONTROL的 并联组件。
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