[实用新型]在半导体衬底上的非易失性存储器

权利要求书

1.一种在半导体衬底上的非易失性存储器，包括存储器单元的行和列，存储器单元的 所述列包括成对的双生存储器单元，每个双生存储器单元包括浮置栅极晶体管和选择晶体 管，所述选择晶体管包括与双生存储器单元的所述选择晶体管共用的选择栅极，

-位线，每个位线连接到相同列的存储器单元的浮置栅极晶体管的导电端子，

-栅极控制线，横向于所述位线，连接到相同行的浮置栅极晶体管的控制栅极，

其特征在于，存储器单元的每列包括两个位线，并且相同列的两个相邻的双生存储器 单元没有连接到相同的位线，而相同列的两个相邻的非双生存储器单元连接到相同的位 线。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，针对存储器单元的两个相邻列，包括：三 个位线，被布置并被叠加在存储器单元的第一列上方并且在三个不同的互连层级上；以及 第四位线，被布置在存储器单元的第二列上方。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，包括：

-第一位线，排列在第一位线轴线上、在存储器单元的第一列上方延伸，并通过第一导 电路径连接到所述第一列的所述浮置栅极晶体管，所述第一导电路径包括穿过隔离层的过 孔和布置在所述隔离层上的导电线的部分，

-第二位线，排列在所述第一位线轴线上，并通过第二导电路径连接到所述第一列的浮 置栅极晶体管，所述第二导电路径包括穿过隔离层的过孔和布置在所述隔离层上的导电线 的部分，

-第三位线，排列在所述第一位线轴线上，并通过第三导电路径连接到存储器单元的第 二列的浮置栅极晶体管，所述第三导电路径包括穿过隔离层的过孔和布置在所述隔离层上 的导电线的部分，以及

-第四位线，排列在第二位线轴线上、在存储器单元的所述第二列上方延伸，并通过第 四导电路径连接到浮置栅极晶体管，所述第四导电路径包括穿过隔离层的过孔和布置在所 述隔离层上的导电线的部分。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，包括第一隔离层、第二隔离层、第三隔离 层、第四隔离层和第五隔离层，并且其中：

-所述第一位线在所述第二隔离层之上延伸，

-所述第二位线在所述第三隔离层之上延伸，

-所述第三位线在所述第五隔离层之上延伸，以及

-所述第四位线在所述第五隔离层之上延伸。

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一导电路径包括：

排列在所述第一位线轴线上、穿过所述第一隔离层的过孔；

排列在所述第一位线轴线上、被布置在所述第一隔离层上的导电线的部分；以及

排列在所述第一位线轴线上、穿过所述第二隔离层的过孔。

6.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第二导电路径包括：

排列在所述第一位线轴线上、穿过所述第一隔离层的过孔；

从所述第一位线轴线一直延伸到所述第二位线轴线、被布置在所述第一隔离层上的导 电线的部分；

排列在所述第二位线轴线上、穿过所述第二隔离层的过孔；

排列在所述第二位线轴线上、布置在所述第二隔离层上的导电线的部分；

排列在所述第二位线轴线上、穿过第三隔离层的过孔；以及

从所述第二位线轴线一直延伸到所述第一位线轴线、布置在所述第三隔离层上的导电 线的部分。