[实用新型]一种托盘系统有效
申请号: | 201520966939.3 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN205177798U | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 冯思达;张宝辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 托盘 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体刻蚀技术领域,尤其涉及一种托盘系统。
背景技术
蓝光LED(LightEmittingDiode)是一种应用最为广泛的LED,其出光效 率是其最重要的性能指标之一。目前,主要通过应用PSS衬底(PatternedSapphire Substrate,图形化蓝宝石衬底)的方法来提高蓝光LED的出光效率。
目前,主要使用ICP(InductivelyCoupledPlasma,感应耦合等离子体)刻 蚀技术制作PSS衬底,在制作PSS衬底的过程中需要使用托盘系统,如图1和 图2所示,现有技术中的托盘系统包括托盘1’、盖板2’和密封圈3’,托盘1’具 有一凸台11’,凸台11’上设置有多个氦气孔(图中未示出),密封圈3’内嵌在凸 台11’的边缘位置处的凹槽12’中,用以将冷却介质(例如氦气)密封在晶片4’ 和凸台11’之间,盖板2’包括本体和设置在本体的边缘上的多个压爪。具体地, 托盘系统的使用方式如下:先将晶片4’(例如蓝宝石衬底)装载在托盘1’的凸 台11’上,接着装配盖板2’,通过盖板2’的压爪将晶片4’固定在凸台11’上,然 后将晶片4’、托盘1’和盖板2’固定,最后将整个装有晶片4’的托盘系统传进工 艺腔室中对晶片4’进行刻蚀。
本申请的发明人发现,在对晶片4’进行刻蚀的过程中,托盘1’的凸台11’ 的边缘会暴露在刻蚀环境中,密封圈3’会被刻蚀粒子刻蚀而损坏,进而影响密 封圈3’的密封效果,导致冷却介质泄漏,托盘系统无法使用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种托盘系统,用于在刻蚀过程中,避免密封 圈的损坏,维持托盘系统的正常使用。
为达到上述目的,本实用新型提供一种托盘系统,采用如下技术方案:
该托盘系统包括托盘、盖板和密封圈,所述托盘具有至少一个凸台,用于 承载晶片,所述密封圈设置于所述凸台上,用于密封所述凸台和所述晶片之间 的空间,防止冷却介质泄漏,所述盖板包括本体和设置在所述本体上的至少一 个通孔,所述通孔与所述凸台一一对应,所述通孔的边缘上设有至少一个压爪, 所述通孔的边缘上还设有至少一个裙边,所述托盘和所述盖板装配后,所述裙 边遮盖所述凸台的边缘。
本实用新型提供了一种如上所述的托盘系统,由于该托盘系统包括的盖板 不仅包括设置于本体上的通孔的边缘上的至少一个压爪,还包括设于通孔的边 缘上的至少一个裙边,且当将托盘和盖板装配后,裙边遮盖凸台的边缘,从而 使得在对晶片进行刻蚀的过程中,裙边对凸台的边缘具有保护作用,能够有效 阻挡刻蚀粒子到达凸台的边缘,避免了密封圈的损坏,保证了密封圈的密封效 果,有效防止了冷却介质泄漏,进而能够维持托盘系统的正常使用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对 实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附 图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出 创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的托盘系统的压爪区域的截面示意图;
图2为现有技术中的托盘系统的非压爪区域的截面示意图;
图3为本实用新型实施例中的托盘系统的压爪区域的截面示意图;
图4为本实用新型实施例中的托盘系统的非压爪区域的截面示意图;
图5为本实用新型实施例中的凸台的平面示意图。
附图标记说明:
1—托盘;11—凸台;12—气孔;
13—凹槽;2—盖板;21—本体;
22—压爪;23—裙边;3—密封圈;
4—晶片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方 案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例, 而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没 有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的 范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造