[实用新型]一种高效发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201521027641.2 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN205282496U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市翔安区厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 发光二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括
一衬底；
一缓冲层，设置于所述衬底上表面；
一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流 阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层 的高掺部分；以及
一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电 层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
2.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于：还包 括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的 上表面和侧面。
3.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于：所述 的电流阻挡层材料为非导电性材料层。
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