[实用新型]一种高效发光二极管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管的技术领域，特别提供一种高效发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展，近年来发光二极管的利用领域迅速扩展。随着LED行业竞争越来越激烈，提高发光二极管的亮度及降低成本成为其重要方向。

为了使得芯片的亮度及可靠性更好，目前传统的芯片包括在P型电极下面的电流阻挡层(CurrentBlockingLayer)，N、P电极，以及制作芯片保护层(PV)。然而，传统的芯片不仅所需的工艺流程时间较长，而且芯片的成本和不良率均较高。

实用新型内容

本实用新型为解决上述问题，提供了一种高效发光二极管芯片。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括

一衬底；

一缓冲层，设置于所述衬底上表面；

一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；

一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；

一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；

一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；

一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；

一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；

一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；

一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；

一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；

一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及

一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。

优选的，还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。

优选的，所述的电流阻挡层为非导电性材料层。

采用上述结构，本实用新型无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型结构示意图。

标号说明

衬底1，缓冲层2，非故意掺杂层3，N型导电层4，N电极41，有源区5，电子阻挡层6，P型导电层7，P型接触层8，电流阻挡层9，P电极91，ITO导电层10,电极隔离层101,芯片保护层102。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实用新型提供一种高效发光二极管芯片，包括

一衬底1；

一缓冲层2，设置于所述衬底1上表面；

一非故意掺杂层3，设置于所述缓冲层2上表面；

一N型导电层4，设置于所述非故意掺杂层3上表面；

一有源区5，设置于所述N型导电层4的左侧部分上表面；

一电子阻挡层6，设置于所述有源区5上表面；

一P型导电层7，设置于所述电子阻挡层6上表面；

一P型接触层8，设置于所述P型导电层7上表面；

一电流阻挡层9，设置于所述P型接触层8的左侧部分上表面；

一ITO导电层10，设置于所述P型接触层8的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层9完全覆盖所述P型接触层8；

一P电极91，设置于所述电流阻挡层9上表面；

一N电极41，设置于所述N型导电层4的右侧部分，且深入到所述N型导电层4的高掺部分；以及

一电极隔离层101，设置于所述N电极41与所述有源区5、电子阻挡层6、P型导电层7、P型接触层8和ITO导电层10的右侧表面之间。