[实用新型]能降低浮动现象的半导体承盘有效
申请号: | 201521046773.X | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN205319135U | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 罗郁南 | 申请(专利权)人: | 晨州塑胶工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 浮动 现象 半导体 | ||
技术领域
本实用新型是与半导体的定位装置有关;尤其是与一种能降低浮动现象的半导体承 盘有关。
背景技术
半导体托盘(业界俗称为Tray盘)是一种用以承载复数半导体芯片,以便这些半导 体芯片被集体运载进行半导体制程的制程或测试程序;
而在半导体制程的过程中无法避免处理溶剂或液体的接触,因此一般的半导体托盘 如图1所示,该半导体托盘10是在一基底部11上设置复数乘载区12,各该乘载区12 内设置一容槽121以容置半导体,而为兼具排水的效果,因此更会在该容槽121的槽底 开设一开孔122,透过该开孔122提供排水的管道;
然而,由于该开孔122是设置于容置半导体的容槽121的槽底,而一般的半导体托 盘10为提高搬运效率又会层叠设置,在两个半导体承盘层叠的过程中,层叠的动作将 会在两半导体承盘间产生气流的扰动,而扰动的气流将会沿该开孔122进入该容槽121, 一旦扰动的气流由该开孔122进入容槽121,由于现今的半导体的体积均已薄型化、微 型化,因此扰动的气流将会造成半导体产生浮动现象,致使半导体产生跳动甚至脱离容 槽,于此状况下若续行半导体承盘10的层叠工作将使得半导体承盘10压损半导体,导 致不必要的损失因而有待改善。有鉴于此,本实用新型创作人潜心研究并更深入构思, 历经多次研发试作后,终于创造出一种能降低浮动现象的半导体承盘。
实用新型内容
本实用新型提供一种能降低浮动现象的半导体承盘,其主要目的是改善一般半导体 承盘层叠设置时会因气流扰动导致半导体浮动的不稳定现象。
为达前述目的,本实用新型提供一种能降低浮动现象的半导体承盘,包含一基底部 的至少一面上间隔成形复数乘载区,该基底部于该乘载区以外的区域设置复数通孔,其 中:
该基底部两面的连接方向定义为高度方向H;
各该乘载区成形一容槽供以容置半导体,该容槽是由一凸垣围绕成一封闭轮廓与该 基底部所共同界定出,该凸垣的一端衔接于该基底部,且该容槽的槽底更再凹陷设置一 凹槽,该容槽的槽底高度低于该凸垣的另一端,而该凹槽的高度低于该容槽的槽底高度; 以及
该些通孔贯穿该基底部的两面。
本实用新型主要透过于该半导体承盘的乘载区以外的位置设置通孔,据此使半导体 能稳定地乘载于乘载区内,而乘载区以外的通孔则可作为扰动气流逃逸的管道,避免扰 动气流扰动半导体或半导体承盘整体,据此提高提高层叠动作的顺畅性,并据此能提高 产品良率及经济价值。
附图说明
图1为一般半导体承盘的示意图。
图2为一般半导体承盘的剖视图。
图3为本实用新型能降低浮动现象的半导体承盘的平面示意图。
图4为本实用新型能降低浮动现象的半导体承盘的立体剖视图。
在附图中用到的符号说明如下:
〈先前技术〉
半导体托盘10基底部11
乘载区12容槽121
开孔122
〈本实用新型〉
基底部20乘载区30
容槽31凸垣311
凹槽312通孔40
具体实施方式
本实用新型提供一种能降低浮动现象的半导体承盘,请配合参阅图3至图4所示, 包含一基底部20的至少一面上间隔成形复数乘载区30,该基底部20于该乘载区30以 外的区域设置复数通孔40,其中:
该基底部20两面的连接方向定义为高度方向H;
各该乘载区30成形一容槽31供以容置半导体,而本实施例的容槽31是由一凸垣 311围绕成一封闭的方形轮廓与该基底部20所共同界定出,该凸垣311的一端衔接于该 基底部20,且该容槽31的槽底更再凹陷设置一凹槽312,该容槽31的槽底高度低于该 凸垣311的另一端,而该凹槽312的高度低于该容槽31的槽底高度;以及
该些通孔40贯穿该基底部20的两面,且本实施例中的这些通孔40是相同大小并 于该基底部20上呈矩阵排列;当然,该些通孔40也能不规则排列于该基底部20上或 是呈不规则尺寸地设置于该基底部20上,只要该些通孔40符合设置于乘载区30以外 的区域均属本案所欲保护的范畴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造