[实用新型]具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路有效
| 申请号： | 201521068910.X | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN205265629U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 范忱;王蓉;王志功 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03F1/22 | 分类号： | H03F1/22;H03F3/45;H03F3/24 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 有源 电感 结构 前馈共栅跨阻 放大器 电路 | ||
【权利要求书】：
1.具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路，其特征是：包括前馈共栅 跨阻放大器电路和有源电感电路；
所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感 电路后，连接电压电源；
所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶 体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4；
输入电源包括并联的电流源和电容，其输出端分别连接NMOS晶体管M1 和NMOS晶体管M2的源极，以及NMOS晶体管M4的漏极；
NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极为信号输入端，NMOS晶体 管M1的漏极连接上拉电阻R1，
NMOS晶体管M2的漏极连接上拉电阻R2，为NMOS晶体管M3栅极的偏 置；
NMOS晶体管M3的漏极连接上拉电阻R3，为NMOS晶体管M1栅极的偏 置；
NMOS晶体管M4的源极接地，NMOS晶体管M4的栅极和NMOS晶体管 M2的栅极均连接电压电源Vb；
上拉电阻R2和上拉电阻R3均连接电源电压VDD2；
所述有源电感电路包括电阻R4和NMOS晶体管M5，NMOS晶体管M5的 栅极连接电阻R4，源极连接上拉电阻R1，漏极连接电源电压VDD1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201521068910.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
