[实用新型]具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路

说明书

技术领域：

本实用新型涉及模拟集成电路，尤其涉及光纤通信领域跨阻放大器的技术。

背景技术：

在光接收模块中低面积，低成本，高带宽，高跨阻增益的跨阻放大器在其中 扮演了一个重要的角色。

最近几年，前馈共栅结构的跨阻放大器因为克服了采用的RGC(Regulated Cascode)结构固有的电压裕度消耗大的缺点，实现了高带宽、高增益、低噪声 前置放大电路的设计。但是跨阻增益与带宽之间会存在一定的制约关系，无法在 带宽不受影响的情况下，提高的跨阻增益。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：现有的前馈共栅结构的跨阻放大器无法在 带宽不受影响的情况下，提高的跨阻增益。

为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是：具有有源电感结构的前馈 共栅跨阻放大器电路，包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路；所述前馈 共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后，连接电 压电源；所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS 晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4；输入电源包括并联的电流源 和电容，其输出端分别连接NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极，以及 NMOS晶体管M4的漏极；NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极为信号 输入端，NMOS晶体管M1的漏极连接上拉电阻R1，NMOS晶体管M2的漏极连 接上拉电阻R2，为NMOS晶体管M3栅极的偏置；NMOS晶体管M3的漏极连接 上拉电阻R3，为NMOS晶体管M1栅极的偏置；NMOS晶体管M4的源极接地， NMOS晶体管M4的栅极和NMOS晶体管M2的栅极均连接电压电源Vb；上拉电 阻R2和上拉电阻R3均连接电源电压VDD2；所述有源电感电路包括电阻R4和 NMOS晶体管M5，NMOS晶体管M5的栅极连接电阻R4，源极连接上拉电阻R1， 漏极连接电源电压VDD1。

本实用新型的优点：本实用新型采用的是有源电感的结构，缓解了跨阻增益 与带宽之间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为 采用的是有源电感，并没有增大版图的面积。

附图说明

图1是现有的FCG跨阻放大器电路图。

图2是本实用新型电路图。

图3是本实用新型有源电感的等效模型。

具体实施方式

如图1所示，现有的FCG跨阻放大器的小信号等效电路，其跨阻增益的传输函 数如下所示：