[实用新型]一种电阻栅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201521089303.1 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN205335262U | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘玉荣;姚若河;耿魁伟;韦岗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L21/336;H01L21/34;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极，所述电阻栅薄膜层（4）位于两栅端电极(301和302)与绝缘栅介质层（5）之间，电阻栅薄膜层的电阻率低于半导体有源层；所述两栅端电极位于电阻栅薄膜层下方，其连线方向与沟道方向垂直，其结构和功能上是等效的；所述源电极（701）和漏电极（702）制作在垂直于两栅端电极连线的方向，使得源漏电极两端与两个栅端电极构成类#型交叠区域，且源漏电极长度即沟道宽度小于两栅端电极宽度与两栅端电极间距的总和。
2.根据权利要求1所述的电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体有源层是非晶或多晶硅薄膜、有机薄膜和氧化物薄膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，所述电阻栅薄膜层为高掺杂半导体薄膜层。
4.根据权利要求1所述的电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，所述电阻栅薄膜层的厚度为80～120纳米。
5.根据权利要求1所述的电阻栅薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘栅介质层为100～300纳米厚的二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪或氧化钽薄膜；所述栅端电极、源极或漏极为Al、Cr、Mo、Au或ITO导电薄膜。
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