[实用新型]太阳能电池制备系统有效
申请号: | 201521135687.6 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205335279U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 于琨;张兴亮;魏强;张魏征 | 申请(专利权)人: | 光为绿色新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 074000 河北省保定市高碑店市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳能电池制备系 统。
背景技术
目前制备太阳能电池的多晶硅时,通常都采用定向凝固法生产工艺。而采 用定向凝固法制备的多晶硅由于受到杂质及晶界质量的影响,处于硅块不同位 置处的硅片质量有所差异。同时,对硅块进行切割、工装等操作时,所得到的 每一片硅片的厚度、损伤层及反光率也尽不相同。
由此,当采用上述硅片进行太阳能电池的制备时,需要先对硅片进行统一 分类(即,分别对硅片的厚度、电阻率和外形尺寸等外观特征参数进行检测, 进而根据检测结果将硅片分类),然后再对统一分类后的硅片进行统一的制绒、 扩散、刻蚀、预氧化膜和镀膜等加工工艺,从而制备得到太阳能电池。即,先 通过硅片分选设备见硅片分选后,再直接投放至太阳能电池制备设备中进行统 一的一系列的加工工序。当采用上述对硅片进行分类后再进行硅片的统一加工 的设备制备太阳能电池时,通常会出现硅片的多个特征参数中某一特征参数不 同时仍采用相同的加工工艺加工硅片的现象,由此很容易导致最终生产太阳能 电池的效率分布集中度较低。
实用新型内容
基于此,有必要针对传统的太阳能电池制备设备容易导致最终生产太阳能 电池的效率分布集中度较低的问题,提供一种太阳能电池制备系统。
为实现本实用新型目的提供的一种太阳能电池制备系统,包括特征存储模 块、第一分类模块、多个第一工艺处理模块、第二分类模块和多个第二工艺处 理模块;
所述特征存储模块,被配置为存储预先检测的基片的特征参数;
所述第一分类模块与所述第二分类模块均与所述特征存储模块通讯连接;
所述第一分类模块设置在所述第一工艺处理模块的上料口的前端,且被配 置为读取所述特征参数中的第一特征参数,根据所述第一特征参数对所述基片 分类,并将不同类的所述基片输送至不同的第一工艺处理模块的上料口处;
不同的所述第一工艺处理模块,被配置为对分类后的所述基片进行不同工 艺条件的第一工艺处理;
所述第二分类模块设置在所述第一工艺处理模块的下料口与所述第二工艺 处理模块的上料口之间,且被配置为读取所述特征参数中的第二特征参数,根 据所述第二特征参数对经过所述第一工艺处理后的所述基片进行再次分类,将 不同类的所述基片输送至不同的所述第二工艺处理模块的上料口处;
不同的所述第二工艺处理模块,被配置为对再次分类后的所述基片进行不 同工艺条件的第二工艺处理。
在其中一个实施例中,所述第一特征参数包括线痕深度参数和电阻率参数;
所述第一分类模块包括第一分类子装置和第二分类子装置;
所述第一工艺处理模块包括制绒设备和扩散设备;
其中,所述第一分类子装置位于所述制绒设备的上料口的前端,且被配置 为读取所述线痕深度参数,根据所述线痕深度参数对所述基片进行第一分类, 并将经过第一分类后的所述基片输送至不同的所述制绒设备的上料口处;
不同的所述制绒设备,被配置为对第一分类后的所述基片进行不同工艺条 件的制绒工艺处理;
所述第二分类子装置设置在所述制绒设备的下料口与所述扩散设备的上料 口之间,且被配置为读取所述根据所述电阻率参数对所述基片进行第二分类, 并将经过第二分类后的所述基片输送至不同的所述扩散设备的上料口处;
不同的所述扩散设备,被配置为对第二分类后的所述基片进行不同工艺条 件的扩散工艺处理。
在其中一个实施例中,所述第二分类子装置包括数据存储模块和比较分类 模块;
所述数据存储模块,被配置为存储预设的第一电阻率范围、第二电阻率范 围、第三电阻率范围和第四电阻率范围;
所述比较分类模块,被配置为将所述电阻率参数分别与所述第一电阻率范 围、所述第二电阻率范围、所述第三电阻率范围和所述第四电阻率范围进行比 较;并当所述电阻率参数位于所述第一电阻率范围时,将相应的所述基片分为 第一等级;当所述电阻率参数位于所述第二电阻率范围时,将相应的所述基片 分为第二等级;当所述电阻率参数位于所述第三电阻率范围时,将相应的所述 基片分为第三等级;当所述电阻率参数位于所述第四电阻率范围时,将相应的 所述基片分为第四等级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的