[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，包括：

第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘上之后，停止生成所述第1等离子体；和

第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体中对所述基板进行了蚀刻之后，停止生成所述第2等离子体，

在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，

在所述第2工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生成所述第2等离子体。

2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

在所述第1工序中，在停止生成所述第1等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘施加在所述基板的电压的极性反转。

3.根据权利要求1或者2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在停止生成所述第2等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘施加在所述基板的电压的极性反转。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使施加在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第1等离子体的期间设定为直至所述极性为正时为止的期间。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

在所述第2工序中，使施加在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第2等离子体的期间设定为直至所述极性为负时为止的期间。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，

所述惰性气体为氩气，所述蚀刻气体为三氯化硼。

7.一种等离子体蚀刻装置，具备：

腔室；

单极式静电卡盘，其在所述腔室内对基板进行吸附；

第1等离子体生成部，其在所述腔室内生成惰性气体的等离子体、即第1等离子体；

第2等离子体生成部，其在所述腔室内生成卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体；和

控制部，对所述单极式静电卡盘的驱动、所述第1等离子体生成部的驱动、以及所述第2等离子体生成部的驱动进行控制，

所述控制部在所述第1等离子体中驱动所述单极式静电卡盘将所述基板吸附于所述单极式静电卡盘上之后，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下，停止由所述第1等离子体生成部生成等离子体，

所述控制部在所述第2等离子体中驱动所述单极式静电卡盘，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下，停止由所述第2等离子体生成部生成等离子体。

8.一种等离子体处理方法，包括：

第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘上之后，停止生成所述第1等离子体；和

第2工序，在不同于所述第1等离子体的第2等离子体中对所述基板进行了处理之后，停止生成所述第2等离子体，

在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，

在所述第2工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生成所述第2等离子体。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述第1工序中，在停止生成所述第1等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘施加在所述基板上的电压的极性反转。

10.根据权利要求8或者9所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述第2工序中，在停止生成所述第2等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘施加在所述基板上的电压的极性反转。

11.根据权利要求8～10中任意一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述第1工序中，使施加在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第1等离子体的期间设定为直至所述极性为正时为止的期间。

12.根据权利要求8～11中任意一项所述的等离子体处理方法，其特征在于，

在所述第2工序中，使施加在所述基板上的电压的极性以一定周期反转，将生成所述第2等离子体的期间设定为直至所述极性为负时为止的期间。

13.一种等离子体处理装置，具备：

腔室；

单极式静电卡盘，其在所述腔室内对基板进行吸附；

第1等离子体生成部，其在所述腔室内生成惰性气体的等离子体、即第1等离子体；

第2等离子体生成部，其在所述腔室内生成不同于所述第1等离子体的第2等离子体；和

控制部，对所述单极式静电卡盘的驱动、所述第1等离子体生成部的驱动、以及所述第2等离子体生成部的驱动进行控制，

所述控制部在所述第1等离子体中驱动所述单极式静电卡盘将所述基板吸附于所述单极式静电卡盘上之后，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下，停止由所述第1等离子体生成部生成等离子体，

所述控制部在所述第2等离子体中驱动所述单极式静电卡盘，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下，停止由所述第2等离子体生成部生成等离子体。