[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过等离子体对被吸附于单极式静电卡盘上的基板进行处理的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法以及等离子体处理装置。

背景技术

通过等离子体对基板上的薄膜进行蚀刻的等离子体蚀刻方法被用于LED或者显示器等各种设备的制造工序中。这种蚀刻中对基板位置的固定利用了例如通过单极式静电卡盘对基板进行吸附的方法(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001－15581号公报

然而，在基板上的薄膜被等离子体蚀刻时，因等离子体中的反应所产生的生成物有时会从基板的上方掉落到基板的表面上。另外，由于在生成等离子体的腔室(chamber)的内壁上堆积有由之前进行的蚀刻所产生的生成物，所以因腔室内壁的温度变化或等离子体中的粒子与堆积物的碰撞等，堆积物有时会脱落下来。其结果，因从腔室的内壁脱落下来的堆积物或从基板的上方掉落下的生成物，而导致在经过了蚀刻处理的基板的表面产生微粒(particle)。

另外，这种在成为蚀刻对象的基板的表面产生微粒的课题并不仅限于对基板上的薄膜的蚀刻，在对基板本身的蚀刻中也存在。另外，生成等离子体的方式不管是电感耦合方式还是电容耦合方式或者是微波方式，在通过等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻方法中，均存在这种在基板的表面产生微粒的课题。进一步，在等离子体蚀刻以外的其他等离子体处理中，例如，在通过等离子体CVD或者等离子体溅射等对基板进行处理的方法中，同样也会在基板的表面产生微粒。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种抑制基板的表面产生微粒的等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法、以及等离子体处理装置。

将为了解决上述课题的方法以及作用效果记载如下。

本发明的技术中的等离子体蚀刻方法的一个方式，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体中将基板吸附于单极式静电卡盘上之后，停止生成所述第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体中对所述基板进行了蚀刻之后，停止生成所述第2等离子体。然后，在所述第1工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下停止生成所述第1等离子体，在所述第2工序中，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下停止生成所述第2等离子体。

本发明的技术中的等离子体蚀刻装置的一个方式，具备：腔室；单极式静电卡盘，其在所述腔室内对基板进行吸附；第1等离子体生成部，其在所述腔室内生成惰性气体的等离子体、即第1等离子体；第2等离子体生成部，其在所述腔室内生成卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体；和控制部，对所述单极式静电卡盘的驱动、所述第1等离子体生成部的驱动、以及所述第2等离子体生成部的驱动进行控制。然后，所述控制部在所述第1等离子体中驱动所述单极式静电卡盘将所述基板吸附于所述单极式静电卡盘上之后，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了正电压的状态下，停止由所述第1等离子体生成部生成等离子体。另外，所述控制部在所述第2等离子体中驱动所述单极式静电卡盘，在从所述单极式静电卡盘向所述基板施加了负电压的状态下，停止由所述第2等离子体生成部生成等离子体。

根据本发明的技术中的一个方式，通过生成第1等离子体，可使单极式静电卡盘对基板进行吸附，在停止生成该第1等离子体时，正电压从单极式静电卡盘被施加在基板上。对此，在停止生成用于对基板进行蚀刻的第2等离子体时，具有与由第1等离子体进行处理时相反的极性的负电压被施加在基板上。因此，通过施加具有适合各自的极性的电压，可抑制在基板的表面产生基于第1等离子体的固有的微粒、和基于第2等离子体的固有的微粒。其结果，在等离子体蚀刻的各个工序中，可抑制每个工序固有的微粒的产生。

本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第1工序中，在停止生成所述第1等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘向所述基板施加的电压的极性反转。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，从单极式静电卡盘被施加在基板上的电压的极性在第1等离子体的生成中进行反转。因此，与单极式静电卡盘所施加的电压的极性不进行反转的构成相比，可抑制电荷蓄积到基板上。

根据本发明的等离子体蚀刻方法的其他方式，在所述第2工序中，在停止生成所述第2等离子体之前，使从所述单极式静电卡盘向所述基板施加的电压的极性反转。