[发明专利]溅镀靶材

权利要求书

1.一种溅镀靶材，具有铜系金属相与氧化物相的混合组织，

氧含量为5原子％至30原子％，且相对密度为85％以上，

体积电阻值为1.0×10^-2Ωcm以下。

2.根据权利要求1所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相为铜相、或含有镍、钛中至少一种的铜合金相。

3.根据权利要求1所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相为铜–镍合金相或铜–钛合金相。

4.根据权利要求1至3任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，氧化物相为氧化铜相或铜合金氧化物相。

5.根据权利要求1至4任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜合金氧化物相含有镍、钛中至少一种。

6.根据权利要求1至4任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜合金氧化物相为铜–镍合金氧化物相或铜–钛合金氧化物相。

7.根据权利要求2至6任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，镍含量为61.0原子％以下，钛含量为7.50原子％以下。

8.根据权利要求1至7任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相的平均粒径为0.5μm至10.0μm，氧化物相的平均粒径为0.05μm至7.0μm。

9.根据权利要求1至8任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，观察溅镀靶材的剖面时，在60μm×60μm范围内，铜系金属相的面积比为0.32以上。

10.根据权利要求1至9任一项所述的溅镀靶材，其用于以直流电源进行的放电。

11.根据权利要求1至10任一项所述的溅镀靶材，其用于形成黑化层。

12.一种制造溅镀靶材的方法，是根据权利要求1至11任一项所述的制造溅镀靶材的方法，包含如下步骤：

将铜粉及/或铜合金粉、或用以形成铜粉及铜合金的铜以外的金属粉，与氧化物粉进行混合的步骤，及

于真空气氛下，在较铜或铜合金的熔点低450℃至200℃的温度范围内的烧结温度进行烧结的步骤。

13.根据权利要求12所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，铜合金粉含有镍、钛的至少一种。

14.根据权利要求12或13所述的制造溅镀靶材的方法，铜合金粉为铜–镍合金粉、或铜–钛合金粉。

15.根据权利要求12所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，用以形成铜合金的铜以外的金属粉含有镍粉、钛粉的至少一种。

16.根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉为氧化铜粉、或铜合金氧化物粉。

17.根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉为含有镍、钛中至少一种的铜合金氧化物粉。

18.根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉为铜–镍合金氧化物或铜-钛合金氧化物粉。

19.根据权利要求12至18任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，烧结是通过电烧结法进行。