[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备

权利要求书

1.一种用于微发光二极管转移的方法，包括：

在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管；

在接收衬底上设置各向异性导电层；

使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触；

从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及

通过使用辅助衬底，从微发光二极管侧对各向异性导电层施加压力，对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接，

其中，在辅助衬底的表面上涂覆有临时键合聚合物，以及对各向异性导电层进行处理的步骤还包括：

经由临时键合聚合物将辅助衬底与各向异性导电层键合；以及

在施加压力之后，经由临时键合聚合物对辅助衬底进行解键合，以移除辅助衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对各向异性导电层进行处理的温度是在150℃至200℃之间，所施加的压力是在1MPa至4MPa之间，以及施加压力的时间是在10秒至30秒之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，辅助衬底是平板刚性衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对临时键合聚合物进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层；

在微发光二极管的外延层上形成N电极；以及

在N电极上进行封装。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，各向异性导电层是各向异性导电膜、各向异性导电浆和各向异性导电胶带中的至少一种。

6.一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据权利要求1所述的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。

7.一种使用根据权利要求6所述的方法制造的微发光二极管装置，其中，微发光二极管通过各向异性导电层与接收衬底上的接垫电接触。

8.一种电子设备，包含根据权利要求7所述的微发光二极管装置。