[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备

说明书

本发明公开了一种微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备。该用于微发光二极管转移的方法包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管；在接收衬底上设置各向异性导电层；使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触；从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接。

技术领域

本发明涉及用于显示的微发光二极管，更具体地，涉及一种用于微发光二极管转移的方法、一种用于制造微发光二极管装置的方法、一种微发光二极管装置以及一种包含微发光二极管装置的电子设备。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/OLED的传统显示产品产生深刻影响。

在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微发光二极管转移到接受衬底上。接受衬底例如是显示屏。

在制造微发光二极管过程中的一个困难在于如何将微发光二极管从施主晶圆上转移到接受衬底上。在现有技术中，一般通过静电拾取的方式来执行所述转移。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微发光二极管用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350℃，或者更具体地，小于200℃；否则，微发光二极管的性能会劣化。在使用转移头阵列的制造过程中通常需要两次转移，即，从施主晶圆到承载晶圆的转移以及从承载晶圆到接受衬底的转移。

美国专利US 8,333,860 B1公开了一种用于传送微器件的传送头阵列，其中通过向传送头中的电极施加电压来拾取微器件。该专利在此全部引入作为参考。

美国专利US 8,426,227B1公开了一种用于形成微发光二极管阵列的方法，其中，使用传送头来将微发光二极管阵列转移到接受衬底上。该专利在此全部引入作为参考。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于微发光二极管转移的新技术方案。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于微发光二极管转移的方法，包括：在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管；在接收衬底上设置各向异性导电层；使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触；从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接。

优选地，对各向异性导电层进行处理的步骤还包括：使用辅助衬底，从微发光二极管侧对各向异性导电层施加压力。

优选地，对各向异性导电层进行处理的温度是在150℃至200℃之间，所施加的压力是在1MPa至4MPa之间，以及施加压力的时间是在10秒至30秒之间。

优选地，辅助衬底是平板刚性衬底。

优选地，在辅助衬底的表面上涂覆有临时键合聚合物，以及对各向异性导电层进行处理的步骤还包括：经由临时键合聚合物将辅助衬底与各向异性导电层键合；以及在施加压力之后，经由临时键合聚合物对辅助衬底进行解键合，以移除辅助衬底。

优选地，所述方法还包括：对临时键合聚合物进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层；在微发光二极管的外延层上形成N电极；以及在N电极上进行封装。

优选地，各向异性导电层是各向异性导电膜、各向异性导电浆和各向异性导电胶带中的至少一种。

根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本发明的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。